| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | HEXFET® |
| Fet类型: | N 和 P 沟道 |
| 漏源极电压(vdss): | 55V |
| 电流-连续漏极(id): | 4.7A,3.4A |
| 最大功率值: | 2W |
| Fet功能: | 逻辑电平门 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 同类热销产品 | ||
|---|---|---|
|
AUIRF7343QTRPBF-VBVBsemi/微碧SOP8
6119
SOP8;N+P—Channel沟道,±60V;5.3/-4.9A;RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1~3;
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:55V
3电流-连续漏极(id)3:4.7A,3.4A
4最大功率值4:2W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
AO4629AOS/万代8-SOIC40
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:55V
3电流-连续漏极(id)3:4.7A,3.4A
4最大功率值4:2W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
NTMD4N03R2GONSEMI/安森美8-SOIC81
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:55V
3电流-连续漏极(id)3:4.7A,3.4A
4最大功率值4:2W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
AO4840AOS/万代8-SOIC83
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:55V
3电流-连续漏极(id)3:4.7A,3.4A
4最大功率值4:2W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
AO4882AOS/万代8-SOIC93
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:55V
3电流-连续漏极(id)3:4.7A,3.4A
4最大功率值4:2W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
AO4612AOS/万代8-SOIC97
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:55V
3电流-连续漏极(id)3:4.7A,3.4A
4最大功率值4:2W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|