产品属性 | 属性值 |
---|---|
系列 | - |
Fet类型: | N 和 P 沟道 |
漏源极电压(vdss): | 20V |
电流-连续漏极(id): | 11.6A(Tc),9A(Tc) |
最大功率值: | 6.25W |
Fet功能: | 逻辑电平栅极,1.8V 驱动 |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
同类热销产品 | ||
---|---|---|
![]() |
TSM500P02DCQ RFGTSC/台湾半导体6-TDFN(2X2)3099
MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 6TDFN
|
![]() |
![]() |
TSM250N02DCQ RFGTSC/台湾半导体6-TDFN(2X2)3100
MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
|
![]() |