TSM110NB04DCR RLG

TSM300NB06DCR RLGTSC/台湾半导体8-PDFN（5x6）3594

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,

1Fet类型1： 5Fet功能5： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4最大功率值4： 6工作温度6：

TSM150NB04LDCR RLGTSC/台湾半导体8-PDFN（5x6）3592

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,

1Fet类型1： 5Fet功能5： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4最大功率值4： 6工作温度6：

TSM150NB04DCR RLGTSC/台湾半导体8-PDFN（5x6）3595

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,

1Fet类型1： 5Fet功能5： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4最大功率值4： 6工作温度6：

TSM110NB04LDCR RLGTSC/台湾半导体8-PDFN（5x6）3599

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,

1Fet类型1： 5Fet功能5： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4最大功率值4： 6工作温度6：

TSM250NB06DCR RLGTSC/台湾半导体8-PDFN（5x6）3603

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,

1Fet类型1： 5Fet功能5： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4最大功率值4： 6工作温度6：

TSM680P06DPQ56 RLGTSC/台湾半导体8-PDFN（5X6）3117

MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN

1Fet类型1： 5Fet功能5： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4最大功率值4： 6工作温度6：

TSM6502CR RLGTSC/台湾半导体8-PDFN（5X6）3212

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN

1Fet类型1： 5Fet功能5： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4最大功率值4： 6工作温度6：

TSM250NB06LDCR RLGTSC/台湾半导体8-PDFN（5x6）3598

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,

1Fet类型1： 5Fet功能5： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4最大功率值4： 6工作温度6：