| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | - |
| Fet类型: | 2 N-通道(双) |
| 漏源极电压(vdss): | 30V |
| 电流-连续漏极(id): | 4.9A |
| 最大功率值: | 1.3W |
| Fet功能: | 逻辑电平门 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 同类热销产品 | ||
|---|---|---|
|
SI7212DN-VBVBsemi/微碧DFN8(3X3)
4317
DFN8(3X3);2个N—Channel沟道,30V;28A;RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:4.9A
4最大功率值4:1.3W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
SI7232DN-T1-GE3Vishay/威世POWERPAK® 1212-8 DUAL116
MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:4.9A
4最大功率值4:1.3W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
SI7216DN-T1-GE3Vishay/威世POWERPAK® 1212-8 DUAL160
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:4.9A
4最大功率值4:1.3W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
SI7216DN-T1-E3Vishay/威世POWERPAK® 1212-8 DUAL161
MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:4.9A
4最大功率值4:1.3W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
SI7228DN-T1-GE3Vishay/威世POWERPAK® 1212-8 DUAL164
MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:4.9A
4最大功率值4:1.3W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
SI7905DN-T1-GE3Vishay/威世POWERPAK® 1212-8 DUAL186
MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:4.9A
4最大功率值4:1.3W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|