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SISF06DN-T1-GE3

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制造商编号：SISF06DN-T1-GE3复制

制造商名称：Vishay/威世复制

制造商封装：PowerPAK® 1212-8SCD

商品类别：多通道MOS管

商品编号：1041-3888

商品描述：COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S

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产品属性	属性值
SELECT COLUMN_NAME as bt,column_comment as nr,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_zl' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' ORDER by zss_px	系列	TrenchFET® Gen IV
Fet类型:	2 N 沟道（双）共漏
漏源极电压(vdss):	30V
电流-连续漏极(id):	28A（Ta），101A（Tc）
最大功率值:	5.2W（Ta），69.4W（Tc）
Fet功能:	标准
工作温度:	-55°C ~ 150°C（TJ）

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