首页 >> 商品目录 >> 多通道MOS管 >> 多通道MOS管

温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

SISF06DN-T1-GE3

复制状态：在售

制造商编号：SISF06DN-T1-GE3复制

制造商名称：Vishay/威世复制

制造商封装：PowerPAK® 1212-8SCD

商品类别：多通道MOS管

商品编号：1041-3888

商品描述：COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S

包装数量：3000

包装规格：

购买数量：

小计：￥ 0.00

产品属性	属性值
SELECT COLUMN_NAME as bt,column_comment as nr,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_zl' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' ORDER by zss_px	系列	TrenchFET® Gen IV
Fet类型:	2 N 沟道（双）共漏
漏源极电压(vdss):	30V
电流-连续漏极(id):	28A（Ta），101A（Tc）
最大功率值:	5.2W（Ta），69.4W（Tc）
Fet功能:	标准
工作温度:	-55°C ~ 150°C（TJ）

PDF预览

同类热销产品
	SISF00DN-T1-GE3Vishay/威世PowerPAK® 1212-8SCD3571 MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12 1Fet类型1： 5Fet功能5： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4最大功率值4： 6工作温度6：
	SISF04DN-T1-GE3Vishay/威世PowerPAK® 1212-8SCD3570 MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8 1Fet类型1： 5Fet功能5： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4最大功率值4： 6工作温度6：
	SISF20DN-T1-GE3Vishay/威世PowerPAK® 1212-8SCD3682 MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD 1Fet类型1： 5Fet功能5： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4最大功率值4： 6工作温度6：
	SISF02DN-T1-GE3Vishay/威世PowerPAK® 1212-8SCD3909 MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 1Fet类型1： 5Fet功能5： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4最大功率值4： 6工作温度6：

复制成功

复制成功

业务介绍

购物指南

注册登录

找回密码

购物流程

常见问题

支付方式

配送方式

联系我们

直线：0755-28435922

总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼

联系我们

公司简介

关注我们

微信扫码

辰科物联介绍

粤公网安备号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2026 深圳市辰科物联有限公司版权所有

销售在线销售在线工程师在线工程师在线电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询