| 产品属性 | 属性值 |
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| 系列 | - |
| Fet类型: | 2 个 P 沟道(双) |
| 漏源极电压(vdss): | 25V |
| 电流-连续漏极(id): | 410mA(Ta) |
| 最大功率值: | 300mW |
| Fet功能: | 逻辑电平门 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
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FDG6304P-VBVBsemi/微碧SC70-6
6545
2个P沟道,-20V,-1.5A,RDS(ON),230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V);SC70-6
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:25V
3电流-连续漏极(id)3:410mA(Ta)
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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NTJD5121NT1GONSEMI/安森美SC-88/SC70-6/SOT-3635
MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:25V
3电流-连续漏极(id)3:410mA(Ta)
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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NTJD4001NT1GONSEMI/安森美SC-88/SC70-6/SOT-36311
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:25V
3电流-连续漏极(id)3:410mA(Ta)
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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NTJD4401NT1GONSEMI/安森美SC-88/SC70-6/SOT-36323
MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:25V
3电流-连续漏极(id)3:410mA(Ta)
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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NTJD4152PT1GONSEMI/安森美SC-88/SC70-6/SOT-36328
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:25V
3电流-连续漏极(id)3:410mA(Ta)
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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NTJD4158CT1GONSEMI/安森美SC-88/SC70-6/SOT-36329
MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT363
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:25V
3电流-连续漏极(id)3:410mA(Ta)
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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