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FDG6304P-F169

复制 状态： 在售

制造商编号：FDG6304P-F169复制

制造商名称：ONSEMI/安森美复制

制造商封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

商品类别：多通道MOS管

商品编号：1041-4091

商品描述：INTEGRATED CIRCUIT

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详细参数
产品属性 属性值
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Fet类型: 2 个 P 沟道（双）
漏源极电压(vdss): 25V
电流-连续漏极(id): 410mA（Ta）
最大功率值: 300mW
Fet功能: 逻辑电平门
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
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FDG6304P-VBVBsemi/微碧SC70-6 6545
2个P沟道,-20V,-1.5A,RDS(ON),230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；-0.6~-2Vth(V)；SC70-6
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双） 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：25V 3电流-连续漏极(id)3：410mA（Ta） 4最大功率值4：300mW 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
NTJD5121NT1GONSEMI/安森美SC-88/SC70-6/SOT-3635
MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
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NTJD4001NT1GONSEMI/安森美SC-88/SC70-6/SOT-36311
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双） 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：25V 3电流-连续漏极(id)3：410mA（Ta） 4最大功率值4：300mW 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
NTJD4401NT1GONSEMI/安森美SC-88/SC70-6/SOT-36323
MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双） 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：25V 3电流-连续漏极(id)3：410mA（Ta） 4最大功率值4：300mW 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
NTJD4152PT1GONSEMI/安森美SC-88/SC70-6/SOT-36328
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双） 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：25V 3电流-连续漏极(id)3：410mA（Ta） 4最大功率值4：300mW 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
NTJD4158CT1GONSEMI/安森美SC-88/SC70-6/SOT-36329
MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT363
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双） 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：25V 3电流-连续漏极(id)3：410mA（Ta） 4最大功率值4：300mW 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
NTJD4105CT1GONSEMI/安森美SC-88/SC70-6/SOT-363236
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双） 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：25V 3电流-连续漏极(id)3：410mA（Ta） 4最大功率值4：300mW 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
NTJD1155LT1GONSEMI/安森美SC-88/SC70-6/SOT-363243
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双） 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：25V 3电流-连续漏极(id)3：410mA（Ta） 4最大功率值4：300mW 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
NTJD5121NT2GONSEMI/安森美SC-88/SC70-6/SOT-363643
MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双） 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：25V 3电流-连续漏极(id)3：410mA（Ta） 4最大功率值4：300mW 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
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