| 产品属性 | 属性值 |
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| 系列 | - |
| Fet类型: | N 和 P 沟道 |
| 漏源极电压(vdss): | 30V |
| 电流-连续漏极(id): | 400mA,200mA |
| 最大功率值: | 300mW |
| Fet功能: | 逻辑电平门 |
| 工作温度: | 150°C(TJ) |
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SSM6L09FU-VBVBsemi/微碧SC70-6
6053
SC70-6;N+P—Channel沟道,±20V;3.28/-2.8A;RDS(ON)=90/155mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V;Vth=±0.45~1V;
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:400mA,200mA
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:150°C(TJ)
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SSM6N7002KFU,LFTOSHIBA/东芝US6413
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:400mA,200mA
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:150°C(TJ)
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SSM6N7002CFU,LFTOSHIBA/东芝US6415
MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:400mA,200mA
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:150°C(TJ)
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SSM6N16FUTE85LFTOSHIBA/东芝US6416
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:400mA,200mA
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:150°C(TJ)
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SSM6L35FU(TE85L,F)TOSHIBA/东芝US6423
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:400mA,200mA
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:150°C(TJ)
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SSM6N15AFU,LFTOSHIBA/东芝US6428
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:400mA,200mA
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:150°C(TJ)
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