| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | PowerTrench® |
| Fet类型: | 2 个 P 沟道(双) |
| 漏源极电压(vdss): | 20V |
| 电流-连续漏极(id): | 2.3A |
| 最大功率值: | 700mW |
| Fet功能: | 逻辑电平门 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 同类热销产品 | ||
|---|---|---|
|
FDC6312P-VBVBsemi/微碧SOT23-6
4463
SOT23-6;2个P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.5~-2V;
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:2.3A
4最大功率值4:700mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
NDC7002NONSEMI/安森美SUPERSOT™-637
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:2.3A
4最大功率值4:700mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
FDC6306PONSEMI/安森美SUPERSOT™-655
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:2.3A
4最大功率值4:700mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
FDC6305NONSEMI/安森美SUPERSOT™-658
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:2.3A
4最大功率值4:700mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
FDC6401NONSEMI/安森美SUPERSOT™-662
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:2.3A
4最大功率值4:700mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
FDC6333CONSEMI/安森美SUPERSOT™-663
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:2.3A
4最大功率值4:700mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|