| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | EPAD® |
| Fet类型: | 4 N 沟道,配对 |
| 漏源极电压(vdss): | 10.6V |
| 电流-连续漏极(id): | 12mA,3mA |
| 最大功率值: | 500mW |
| Fet功能: | 耗尽模式 |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C(TJ) |
| 同类热销产品 | ||
|---|---|---|
|
ALD110808ASCLALD/先进线性器件16-SOIC541
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
|
|
|
ALD110814SCLALD/先进线性器件16-SOIC1002
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
|
|
|
ALD110802SCLALD/先进线性器件16-SOIC1004
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
|
|
|
ALD210800SCLALD/先进线性器件16-SOIC1010
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
|
|
|
ALD114813SCLALD/先进线性器件16-SOIC1028
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
|
|
|
ALD110800SCLALD/先进线性器件16-SOIC1029
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
|
|
|
ALD110800ASCLALD/先进线性器件16-SOIC1030
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
|
|
|
ALD114804ASCLALD/先进线性器件16-SOIC1031
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
|
|
|
ALD210800ASCLALD/先进线性器件16-SOIC1032
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
|
|
|
ALD110804SCLALD/先进线性器件16-SOIC1204
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
|
|
|
ALD114804SCLALD/先进线性器件16-SOIC1737
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
|
|
|
ALD210802SCLALD/先进线性器件16-SOIC1739
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
|
|