| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | TrenchFET® |
| Fet类型: | 2 个 P 沟道(双) |
| 漏源极电压(vdss): | 12V |
| 电流-连续漏极(id): | 4.5A |
| 最大功率值: | 7.8W |
| Fet功能: | 逻辑电平门 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
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1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:12V
3电流-连续漏极(id)3:4.5A
4最大功率值4:7.8W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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SIA519EDJ-T1-GE3Vishay/威世POWERPAK® SC-70-6 双79
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:12V
3电流-连续漏极(id)3:4.5A
4最大功率值4:7.8W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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SIA910EDJ-T1-GE3Vishay/威世POWERPAK® SC-70-6 双85
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1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:12V
3电流-连续漏极(id)3:4.5A
4最大功率值4:7.8W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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SIA922EDJ-T1-GE3Vishay/威世POWERPAK® SC-70-6 双270
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:12V
3电流-连续漏极(id)3:4.5A
4最大功率值4:7.8W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:12V
3电流-连续漏极(id)3:4.5A
4最大功率值4:7.8W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:12V
3电流-连续漏极(id)3:4.5A
4最大功率值4:7.8W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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