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AO4612

复制 状态: 在售

制造商编号:AO4612复制

制造商名称:AOS/万代复制

制造商封装:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)

商品类别:多通道MOS管

商品编号:1041-97

商品描述:MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC

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详细参数
产品属性 属性值
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Fet类型: N 和 P 沟道
漏源极电压(vdss): 60V
电流-连续漏极(id): 4.5A,3.2A
最大功率值: 2W
Fet功能: 逻辑电平门
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
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AO4612-VBVBsemi/微碧SOP8 6257
SOP8;N+P—Channel沟道,±60V;5.3/-4.9A;RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1~3;
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1Fet类型1:N 和 P 沟道 5Fet功能5:逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2:60V 3电流-连续漏极(id)3:4.5A,3.2A 4最大功率值4:2W 6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
NTMD4N03R2GONSEMI/安森美8-SOIC81
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
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1Fet类型1:N 和 P 沟道 5Fet功能5:逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2:60V 3电流-连续漏极(id)3:4.5A,3.2A 4最大功率值4:2W 6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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1Fet类型1:N 和 P 沟道 5Fet功能5:逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2:60V 3电流-连续漏极(id)3:4.5A,3.2A 4最大功率值4:2W 6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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1Fet类型1:N 和 P 沟道 5Fet功能5:逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2:60V 3电流-连续漏极(id)3:4.5A,3.2A 4最大功率值4:2W 6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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1Fet类型1:N 和 P 沟道 5Fet功能5:逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2:60V 3电流-连续漏极(id)3:4.5A,3.2A 4最大功率值4:2W 6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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1Fet类型1:N 和 P 沟道 5Fet功能5:逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2:60V 3电流-连续漏极(id)3:4.5A,3.2A 4最大功率值4:2W 6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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