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HGTD1N120BNS9A

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制造商编号：HGTD1N120BNS9A复制

制造商名称：ONSEMI/安森美复制

制造商封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

商品类别：晶体管- IGBT/UGBT-单

商品编号：1045-108

商品描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

包装数量：2500

包装规格：

购买数量：

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产品属性	属性值
SELECT COLUMN_NAME as bt,column_comment as nr,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_ugbt_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' ORDER by zss_px	系列	-
IGBT 类型:	NPT
电压-集射极击穿(最大值):	1200V
电流-集电极(Ic)(最大值):	5.3A
最大功率值:	60W
开关能量:	70µJ（开），90µJ（关）
工作温度:	-55°C ~ 150°C（TJ）

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