产品属性 | 属性值 |
---|---|
系列 | M |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压-集射极击穿(最大值): | 650V |
电流-集电极(Ic)(最大值): | 12A |
最大功率值: | 88W |
开关能量: | 40µJ(开),136µJ(关) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
同类热销产品 | ||
---|---|---|
![]() |
STGP3HF60HDST/意法半导体TO-220113
IGBT BIPO 600V 3A TO220
|
![]() |
|
STGP19NC60HDST/意法半导体TO-220130
IGBT 600V 40A 130W TO220
|
![]() |
|
STGP30M65DF2ST/意法半导体TO-220133
IGBT 650V 30A TO-220AB
|
![]() |
|
STGP40V60FST/意法半导体TO-220138
IGBT 600V 80A 283W TO220AB
|
![]() |
|
STGP35HF60WST/意法半导体TO-220146
IGBT 600V 60A 200W TO220
|
![]() |
|
STGP19NC60SST/意法半导体TO-220208
IGBT 600V 40A 130W TO220
|
![]() |
|
STGP19NC60WST/意法半导体TO-220217
IGBT 600V 40A 130W TO220
|
![]() |
|
STGP19NC60HST/意法半导体TO-220252
IGBT 600V 40A 130W TO220
|
![]() |
|
STGP100N30ST/意法半导体TO-220274
IGBT 330V 90A 250W TO220
|
![]() |
![]() |
AOTF5B65M1AOS/万代TO-220597
IGBT 650V 5A TO220
|
![]() |
![]() |
AOT5B65M1AOS/万代TO-220600
IGBT 650V 5A TO220
|
![]() |
![]() |
AOTF10B65M1AOS/万代TO-220602
IGBT 650V 10A TO220
|
![]() |