| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | BIMOSFET™ |
| IGBT 类型: | - |
| 电压-集射极击穿(最大值): | 3600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值): | 125A |
| 最大功率值: | 660W |
| 开关能量: | - |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
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