| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | - |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压-集射极击穿(最大值): | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值): | 40A |
| 最大功率值: | 167W |
| 开关能量: | 200µJ(开),130µJ(关) |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 同类热销产品 | ||
|---|---|---|
|
RJP60F5DPK-01#T0Renesas/瑞萨TO-3P101
IGBT 600V 80A 260.4W
1IGBT 类型:
2电压-集射极击穿(最大值):
3电流-集电极(Ic)(最大值):
4最大功率值:
5开关能量:
6工作温度:
|
|
|
STGWT20V60DFST/意法半导体TO-3P152
IGBT 600V 40A 167W TO3P-3
1IGBT 类型:
2电压-集射极击穿(最大值):
3电流-集电极(Ic)(最大值):
4最大功率值:
5开关能量:
6工作温度:
|
|
|
FGA25N120ANTDTU-F109ONSEMI/安森美TO-3P157
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
1IGBT 类型:
2电压-集射极击穿(最大值):
3电流-集电极(Ic)(最大值):
4最大功率值:
5开关能量:
6工作温度:
|
|
|
STGWT30H60DFBST/意法半导体TO-3P158
IGBT 600V 60A 260W TO3PL
1IGBT 类型:
2电压-集射极击穿(最大值):
3电流-集电极(Ic)(最大值):
4最大功率值:
5开关能量:
6工作温度:
|
|
|
STGWT30H65FBST/意法半导体TO-3P159
IGBT 650V 30A 260W TO3PL
1IGBT 类型:
2电压-集射极击穿(最大值):
3电流-集电极(Ic)(最大值):
4最大功率值:
5开关能量:
6工作温度:
|
|