首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 晶体管- IGBT/UGBT-单

温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

STGWT20V60DF

复制状态：在售

制造商编号：STGWT20V60DF复制

制造商名称：ST/意法半导体复制

制造商封装：TO-3P-3，SC-65-3

商品类别：晶体管- IGBT/UGBT-单

商品编号：1045-152

商品描述：IGBT 600V 40A 167W TO3P-3

包装数量：

包装规格：

购买数量：

小计：￥ 0.00

产品属性	属性值
SELECT COLUMN_NAME as bt,column_comment as nr,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_ugbt_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' ORDER by zss_px	系列	-
IGBT 类型:	沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值):	600V
电流-集电极(Ic)(最大值):	40A
最大功率值:	167W
开关能量:	200µJ（开），130µJ（关）
工作温度:	-55°C ~ 175°C（TJ）

PDF预览

同类热销产品
	RJP60F5DPK-01#T0Renesas/瑞萨TO-3P101 IGBT 600V 80A 260.4W 1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：
	STGWT20V60FST/意法半导体TO-3P150 IGBT 600V 40A 167W TO3PF 1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：
	FGA25N120ANTDTU-F109ONSEMI/安森美TO-3P157 IGBT 1200V 50A 312W TO3P 1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：
	STGWT30H60DFBST/意法半导体TO-3P158 IGBT 600V 60A 260W TO3PL 1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：
	STGWT30H65FBST/意法半导体TO-3P159 IGBT 650V 30A 260W TO3PL 1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：

复制成功

复制成功

业务介绍

购物指南

注册登录

找回密码

购物流程

常见问题

支付方式

配送方式

联系我们

直线：0755-28435922

总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼

联系我们

公司简介

关注我们

微信扫码

辰科物联介绍

粤公网安备号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2026 深圳市辰科物联有限公司版权所有

销售在线销售在线工程师在线工程师在线电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询