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NGTD21T65F2WP

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制造商编号：NGTD21T65F2WP复制

制造商名称：ONSEMI/安森美复制

制造商封装：模具

商品类别：晶体管- IGBT/UGBT-单

商品编号：1045-2595

商品描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

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产品属性	属性值
SELECT COLUMN_NAME as bt,column_comment as nr,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_ugbt_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' ORDER by zss_px	系列	-
IGBT 类型:	沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值):	650V
电流-集电极(Ic)(最大值):	650V
最大功率值:	1.9V @ 15V，45A
开关能量:	-
工作温度:	-55°C ~ 175°C（TJ）

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