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STGB30H65DFB2

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制造商编号：STGB30H65DFB2复制

制造商名称：ST/意法半导体复制

制造商封装：TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA

商品类别：晶体管- IGBT/UGBT-单

商品编号：1045-3319

商品描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30

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详细参数

产品属性	属性值
SELECT COLUMN_NAME as bt,column_comment as nr,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_ugbt_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' ORDER by zss_px	系列	HB2
IGBT 类型:	沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值):	650V
电流-集电极(Ic)(最大值):	50A
最大功率值:	167W
开关能量:	270µJ（开），310µJ（关）
工作温度:	-55°C ~ 175°C（TJ）

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