| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | - |
| IGBT 类型: | 场截止 |
| 电压-集射极击穿(最大值): | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值): | 160A |
| 最大功率值: | 536W |
| 开关能量: | 1.7mJ(开),1.1mJ(关) |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 同类热销产品 | ||
|---|---|---|
|
STGW40H65DFB-4ST/意法半导体TO-247-4L214
IGBT
1IGBT 类型:
2电压-集射极击穿(最大值):
3电流-集电极(Ic)(最大值):
4最大功率值:
5开关能量:
6工作温度:
|
|
|
FGH40T120SQDNL4ONSEMI/安森美TO-247-4L771
IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
1IGBT 类型:
2电压-集射极击穿(最大值):
3电流-集电极(Ic)(最大值):
4最大功率值:
5开关能量:
6工作温度:
|
|
|
STGW60H65DFB-4ST/意法半导体TO-247-4L1645
IGBT
1IGBT 类型:
2电压-集射极击穿(最大值):
3电流-集电极(Ic)(最大值):
4最大功率值:
5开关能量:
6工作温度:
|
|
|
STGW80H65DFB-4ST/意法半导体TO-247-4L1678
IGBT BIPO 650V 80A TO247
1IGBT 类型:
2电压-集射极击穿(最大值):
3电流-集电极(Ic)(最大值):
4最大功率值:
5开关能量:
6工作温度:
|
|
|
STGW80H65FB-4ST/意法半导体TO-247-4L1688
IGBT BIPO 650V 80A TO247
1IGBT 类型:
2电压-集射极击穿(最大值):
3电流-集电极(Ic)(最大值):
4最大功率值:
5开关能量:
6工作温度:
|
|