温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

IXXA30N65C3HV

复制 状态: 在售

制造商编号:IXXA30N65C3HV复制

制造商名称:IXYS/艾赛斯复制

制造商封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

商品类别:晶体管- IGBT/UGBT-单

商品编号:1045-988

商品描述:IGBT

包装数量:

包装规格:

购买数量:
小计: 0.00
  • 现货订购: 0pcs
  • 自营库存:0pcs
  • 国内库存:-
  • 厂家库存:-
  • 海外库存:-可咨询
  •  
  • 最新起订量:-
  • 增          量:1

价格(含税)

参考价格:0.000000
详细参数
产品属性 属性值
SELECT COLUMN_NAME as bt,column_comment as nr,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_ugbt_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' ORDER by zss_px 系列 XPT™, GenX3™
IGBT 类型: -
电压-集射极击穿(最大值): 650V
电流-集电极(Ic)(最大值): 52A
最大功率值: 230W
开关能量: 500µJ(开),450µJ(关)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
同类热销产品
IXYA20N120B4HVIXYS/艾赛斯TO-263HV18
IGBT 1200V 20A GENX4 XPT TO263D2
1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 4最大功率值: 5开关能量: 6工作温度:
IXYA20N120C4HVIXYS/艾赛斯TO-263HV19
IGBT 1200V 20A X4 HSPEED TO263D2
1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 4最大功率值: 5开关能量: 6工作温度:
IXYA20N120A4HVIXYS/艾赛斯TO-263HV526
DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2
1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 4最大功率值: 5开关能量: 6工作温度:
IXBA16N170AHVIXYS/艾赛斯TO-263HV571
REVERSE CONDUCTING IGBT
1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 4最大功率值: 5开关能量: 6工作温度:
IXYA20N120C3HVIXYS/艾赛斯TO-263HV1017
IGBT
1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 4最大功率值: 5开关能量: 6工作温度:
IXYA30N120A4HVIXYS/艾赛斯TO-263HV1042
DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2
1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 4最大功率值: 5开关能量: 6工作温度:
IXYA8N250CHVIXYS/艾赛斯TO-263HV1223
IGBT
1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 4最大功率值: 5开关能量: 6工作温度:
复制成功
复制成功
销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922