东芝提供了电源应用多样化的半导体组件，从低功率到高功率，以满足广泛的客户需求的变化。这些产品有助于节约能源和提高能源效率。
U-MOS VIII-H / U-MOS IX-H是专门设计在二次侧的AC-DC电源，用于笔记本计算机充电器、游戏机、服务器、台式计算机、平板显示器等…以及高效率的MOSFET系列通信设备、服务器和数据中心的DC-DC电源供应器；最新的U-MOS IX-H工艺制造，将有助于提高电源的效率。
U型MOSⅧ-H系列提供了业界最广泛的低导通电阻MOSFET, 在导通电阻和电容之间最好的应用产品, 由于其快速导通特性，在U-MOSⅧ-H系列有助于降低开关损耗，从而能够提高电源效率。 U型MOSⅧ-H系列有V
30至250伏特的在各种包装，包括最先进的封装，双面冷却功能。
U型MOSⅨ-H系列是专为同步整流应用，包括隔离开关电源的二次侧设计。它提供了一种改进的Qoss的性能，同步整流的功率损耗的原因之一。 U型MOSⅨ-H其他半导体厂商系列提供低27％ 的Ron•Qoss，导通电阻（RON）和QOSS之间的权衡的特点。由于Ron对Q
一个显著的影响，东芝将扩大具有超低Ron 的U-MOSⅨ-H系列的阵容组合。
东芝已研发最新的产品规格及包装，以减少导通电阻的MOSFET。东芝提供包用双面冷却能力，其具有双侧的散热片。这个包提供了0.93°C / W的超低热阻（RTH
），从而简化了散热设计。
在U-MOSⅧ-H和U-MOSⅨ-H系列可被R
中的更宽范围的ON和V
的比较，从而满足各种应用的要求。
东芝已开发的第四代超级结的交界处600 V DTMOS IV MOSFET系列。材料使用特殊的state-of single epitaxial的制程，相比DTMOS III，DTMOS IV提供了一个减少30％的Ron·A。减少Ron·A在同一个包装，它可以容纳下更低Ron·A，这有助于提高工作效率和减少电源的损耗。
东芝已开发出第4代超级结600-V DTMOSⅣ MOSFET系列产品。通过采用最先进的单层外延工艺，DTMOSⅣ减少了30%的Ron･A, 这是MOSFET相较于其前一代产品DTMOSⅢ所具有的一个数字化的优点(FOM)。对于Ron A的降低，实现了在相同封装中安装较低Ron芯片的可能。这也有助于提升效率和减小电源的尺寸大小。
因采用了一个碳化硅（SiC）和宽能隙半导体，SiC肖特基位障二极管（SBD）能提供使用硅材料肖特基位障二极管时所无法实现的高击穿电压。作为一个单极性组件，SiC SBD具有非常短的逆向恢复时间和温度独立的开关特性，使它们非常适合替代Si硅材料快速恢复二极管（FRD）的应用，以提高电源效率。
功率因素校正电路、太阳能变频器、不间断电源（UPS）
在顺向电流（IF）为4A/mm2和高温区域条件下，SiC SBD产品TRS6E65C的顺向电压约比Si FRD产品5JUZ47高出40%。但是，在400V逆向电压（VR）的条件下，TRS6E65C比5JUZ47的高温漏电约低97%。
图1：SiC SBD和Si FRD的峰值重复逆向电流vs峰值顺向电压（T
=150°C）
*5JUZ47将计划停产。
SiC SBD比Si FRD提供更短的逆向复原时间。
测试条件：V
=400V，I
=6A，di/dt=200A/µs
图2：SiC SBD和Si FRD之间的逆向复原特性比较
*5JUZ47将计划停产。
SiC SBD的逆向复原时间对于温度不敏感。
图3：SiC SBD的逆向复原时间vs温度依赖性
虽然SiC SBD的导通损耗高于Si FRD，但SiC SBD具有较低的切换损耗，所以总体损耗有所降低。
损耗模拟：I
=6A，V
=400V，f=150kHz，50％Duty cycle
图4：SiC SBD和Si FRD的损耗模拟结果比较
*5JUZ47将计划停产。
负载开关IC，电源IC，其中包含一个输出MOSFET和输出驱动器采用CMOS工艺制造。负载开关IC版本提供了小面积的解决方案。此外，负载开关IC可提供低工作电压，低导通电阻和低电流消耗，并提供额外的功能。超小型封装，尺寸小于1平方毫米，东芝的负载开关IC在便携式应用的空间考虑下，是为理想选择。
东芝拥有40多年的光耦生产经验，其应用领域广泛，从逆变器和半导体测试系统等工业设备到空调和光伏发电系统等家用电器和房屋设备。
东芝提供的光耦包括一个大功率红外LED和一个采用最新工艺的光电探测器。这些光耦经主要的国际安全标准认证，能提供高的隔离电压和低功耗，所以非常适合应用于对安全性和环保性具有高要求的应用场合。
东芝已开发出全新的具有多量子阱（MQW）结构的大功率红外LED，可广泛应用于各类光耦中，如IC-输出和晶体管输出光耦。因采用了MQW LED的高可靠性设计，这些光耦能支持的工作温度高达125°C，这是绝缘器件行业内的最高水平，同时还具有超长的使用寿命。在推荐的产品列表中，标有标识的光耦可支持高达125°C的工作温度（Topr）。
利用大功率LED的特点，东芝也提供可支持低至1mA LED电流进行工作的广泛的光耦产品阵容。这些光耦可直接由一个微控制器进行驱动，而无需中间缓冲器，这有助于减小系统功耗。
东芝提供一系列符合主要国际安全标准的加强绝缘类封装。凭借5mm的保证间隙和爬电距离，0.4 mm的内部隔离厚度，该小型表面安装的SO6封装相比于其他隔离解决方案具有更加稳定的隔离性能。EN60747-5-5 标准规定的最大工作绝缘电压为707V；符合EN60747-5-5标准的光耦可用于替代其前一代使用DIP封装的某些产品。这些光耦采用流焊设计，这就实现了公共器件于不同产品线中的应用并节省了电路板空间。
* 截止于2013年4月
最大工作绝缘
电压（EN60747-5-5）
有助于节省电路板空间和提高设计灵活性
