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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1
品牌：
AOS/万代复制
封装：表面贴装型
外壳：表面贴装型
描述：
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
|
Fet类型:
P 通道
漏源极电压(vdss):
30V
电流-连续漏极(id):
12A（Ta）
Vgs(最大值):
±25V
功率-最大值:
3.1W（Ta）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
咨询客服
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4407B' ) LIMIT 1
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品牌：
AOS/万代复制
封装：表面贴装型
外壳：表面贴装型
描述：
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
|
Fet类型:
P 通道
漏源极电压(vdss):
30V
电流-连续漏极(id):
12A（Ta）
Vgs(最大值):
±25V
功率-最大值:
3.1W（Ta）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
咨询客服
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4407BL' ) LIMIT 1
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品牌：
AOS/万代复制
封装：8-SO
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述：
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
|
Fet类型:
P 通道
漏源极电压(vdss):
30V
电流-连续漏极(id):
12A（Ta）
Vgs(最大值):
±25V
功率-最大值:
3.1W（Ta）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
咨询客服
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4407L' ) LIMIT 1
|
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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品牌：
AOS/万代复制
封装：8-SOIC
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述：
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
|
Fet类型:
P 通道
漏源极电压(vdss):
30V
电流-连续漏极(id):
12A（Ta）
Vgs(最大值):
±25V
功率-最大值:
3.1W（Ta）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
|
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10+:
￥3.34
3000+:
￥2.56
量大可议价
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
3000个/
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4407A' ) LIMIT 1
|
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品牌：
AOS/万代复制
封装：8-SOIC
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述：
MOSFET P-CH 30V 8SOIC
|
Fet类型:
P 通道
漏源极电压(vdss):
30V
电流-连续漏极(id):
12A（Ta）
Vgs(最大值):
±25V
功率-最大值:
3.1W（Ta）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4407AL' ) LIMIT 1
|
|
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品牌：
AOS/万代复制
封装：8-SOIC
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述：
MOSFET P-CH 30V 8SOIC
|
Fet类型:
P 通道
漏源极电压(vdss):
30V
电流-连续漏极(id):
12A（Ta）
Vgs(最大值):
±25V
功率-最大值:
3.1W（Ta）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4407AL_102' ) LIMIT 1
|
|
|
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1
品牌：
AOS/万代复制
封装：8-SOIC
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述：
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
|
Fet类型:
P 通道
漏源极电压(vdss):
30V
电流-连续漏极(id):
12A（Ta）
Vgs(最大值):
±25V
功率-最大值:
3.1W（Ta）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
|
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4407A_102' ) LIMIT 1
|
|
|
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品牌：
VBsemi/微碧复制
封装：SOP8
描述：
SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
|
Fet类型:
P—Channel沟道
漏源极电压(vdss):
30V
电流-连续漏极(id):
6A
Vgs(最大值):
功率-最大值:
工作温度:
|
|
10+:
￥1.76
4000+:
￥1.35
量大可议价
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
4000个/
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4407-VB' ) LIMIT 1
供应商:6
库存:10K+
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'VBsemi/微碧' ) LIMIT 1
品牌：
VBsemi/微碧复制
封装：SOP8
描述：
SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
|
Fet类型:
P—Channel沟道
漏源极电压(vdss):
30V
电流-连续漏极(id):
6A
Vgs(最大值):
功率-最大值:
工作温度:
|
|
10+:
￥1.44
4000+:
￥1.10
量大可议价
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
4000个/
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4407A-VB' ) LIMIT 1
供应商:6
库存:10K+
|
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|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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状态：
修改
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1
品牌：
AOS/万代复制
封装：8-SOIC
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述：
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
|
Fet类型:
P 通道
漏源极电压(vdss):
30V
电流-连续漏极(id):
12A（Ta）
Vgs(最大值):
±25V
功率-最大值:
3.1W（Ta）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4407' ) LIMIT 1
供应商:6
库存:1K+
|
