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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 数量 操作
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型号: STP315N10F7复制
状态: 在售 修改
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封装:TO-220
外壳:TO-220-3
描述: MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
Fet类型: N 通道
漏源极电压(vdss): 100V
电流-连续漏极(id): 180A(Tc)
Vgs(最大值): ±20V
功率-最大值: 315W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等级:车规级/Automotive
标识:-
量大可议价
量大可议价
包装量: 修改
个
起订量:10 修改
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型号: STH315N10F7-2复制
状态: 在售 修改
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封装:H2Pak-2
外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
描述: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Fet类型: N 通道
漏源极电压(vdss): 100V
电流-连续漏极(id): 180A(Tc)
Vgs(最大值): ±20V
功率-最大值: 315W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等级:车规级/Automotive
标识:-
10+: ¥29.96
1000+: ¥22.95
量大可议价
包装量: 1000个/ 修改
个
起订量:10 修改
总额:
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型号: STH315N10F7-6复制
状态: 在售 修改
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封装:H2PAK-6
外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
描述: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Fet类型: N 通道
漏源极电压(vdss): 100V
电流-连续漏极(id): 180A(Tc)
Vgs(最大值): ±20V
功率-最大值: 315W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等级:车规级/Automotive
标识:-
量大可议价
量大可议价
包装量: 修改
个
起订量:10 修改
总额:
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STH315N10F7-6' ) LIMIT 1
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型号: STL115N10F7AG复制
状态: 在售 修改
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封装:PowerFlat™(5x6)
外壳:8-PowerVDFN
描述: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Fet类型: N 通道
漏源极电压(vdss): 100V
电流-连续漏极(id): 107A(Tc)
Vgs(最大值): ±20V
功率-最大值: 136W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等级:车规级/Automotive
标识:-
量大可议价
量大可议价
包装量: 修改
个
起订量:10 修改
总额:
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL115N10F7AG' ) LIMIT 1
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