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品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO252-3-11
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
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±20V
功率-最大值:
100W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
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10+:
￥5.79
2500+:
￥4.44
量大可议价
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
2500个/
修改
起订量:10
修改
总额：
|
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO252-3-11
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
136W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPD30N06S2L13ATMA4' ) LIMIT 1
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：TO-220-3
外壳：TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
120A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
231W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDP030N06' ) LIMIT 1
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品牌：
IXYS/艾赛斯复制
封装：TO-263（IXTA）
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
MOSFET N-CH 65V 130A TO-263
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
65V
电流-连续漏极(id):
130A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
250W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
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品牌：
IXYS/艾赛斯复制
封装：TO-220AB
外壳：TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 65V 130A TO-220
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
65V
电流-连续漏极(id):
130A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
250W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXTP130N065T2' ) LIMIT 1
|
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：TO-220-3
外壳：TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Ta）
Vgs(最大值):
+10V，-8V
功率-最大值:
96W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RFP30N06LE' ) LIMIT 1
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D2PAK
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
27A（Ta）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
88.2W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTB30N06T4' ) LIMIT 1
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D2PAK
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Ta）
Vgs(最大值):
±15V
功率-最大值:
88.2W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTB30N06LT4' ) LIMIT 1
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：TO-220AB
外壳：TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Ta）
Vgs(最大值):
±15V
功率-最大值:
88.2W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTP30N06L' ) LIMIT 1
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：TO-220AB
外壳：TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
27A（Ta）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
88.2W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTP30N06' ) LIMIT 1
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：I-PAK
外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
描述：
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
24A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
2.5W（Ta），44W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
|
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FQU30N06LTU' ) LIMIT 1
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D-Pak
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
22.7A（Tc）
Vgs(最大值):
±25V
功率-最大值:
2.5W（Ta），44W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FQD30N06TF' ) LIMIT 1
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D-Pak
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
24A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
2.5W（Ta），44W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FQD30N06LTM' ) LIMIT 1
|
|
|
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品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：P-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
136W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SPD30N06S2-15' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：P-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
-
工作温度:
-
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SPD30N06S2-23' ) LIMIT 1
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：P-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
136W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SPD30N06S2L-13' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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string(6) "1.4950"
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：P-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
100W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SPD30N06S2L-23' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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array(7) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
100W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPD230N06NGBTMA1' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
100W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPD30N06S223ATMA1' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
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string(4) "1039"
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string(3) "121"
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string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
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string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D2PAK
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Ta）
Vgs(最大值):
±15V
功率-最大值:
88.2W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTB30N06LT4G' ) LIMIT 1
|
