|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO252-3-11
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
100W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
10+:
￥5.79
2500+:
￥4.44
量大可议价
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
2500个/
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPD30N06S223ATMA2' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO252-3-11
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
136W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPD30N06S2L13ATMA4' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：P-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
136W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SPD30N06S2-15' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：P-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
-
工作温度:
-
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SPD30N06S2-23' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：P-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
136W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SPD30N06S2L-13' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：P-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
100W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SPD30N06S2L-23' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
100W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPD230N06NGBTMA1' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
100W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPD30N06S223ATMA1' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO220-3
外壳：TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
36W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPP230N06L3 G' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±16V
功率-最大值:
36W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPD30N06S4L23ATMA1' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO252-3-11
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
100W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
10+:
￥5.73
2500+:
￥4.39
量大可议价
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
2500个/
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPD30N06S2L23ATMA3' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO252-3-11
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±16V
功率-最大值:
36W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPD30N06S4L23ATMA2' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO252-3-11
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
136W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
10+:
￥7.09
2500+:
￥5.43
量大可议价
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
2500个/
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPD30N06S215ATMA2' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：D²PAK（TO-263AB）
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
36W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPB230N06L3GATMA1' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
136W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPD30N06S2-15' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
100W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPD30N06S2L23ATMA1' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TSDSON-8-32
外壳：8-PowerTDFN
描述：
N-CHANNEL FET
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Tj）
Vgs(最大值):
±16V
功率-最大值:
33W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
10+:
￥3.02
5000+:
￥2.31
量大可议价
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
5000个/
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IAUZ30N06S5L140ATMA1' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1039"
["parent_id"]=>
string(3) "121"
["lb"]=>
string(26) "晶体管 单通道MOS管"
["action_name"]=>
string(4) "jtg8"
["rate"]=>
string(5) "1.145"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
状态：
修改
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TO252-3
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
55V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
136W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPD30N06S2L-13' ) LIMIT 1
供应商:1
库存:3K+
|
