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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：TO-220-3
外壳：TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
120A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
231W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：TO-220-3
外壳：TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Ta）
Vgs(最大值):
+10V，-8V
功率-最大值:
96W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RFP30N06LE' ) LIMIT 1
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D2PAK
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
27A（Ta）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
88.2W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTB30N06T4' ) LIMIT 1
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D2PAK
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Ta）
Vgs(最大值):
±15V
功率-最大值:
88.2W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTB30N06LT4' ) LIMIT 1
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：TO-220AB
外壳：TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Ta）
Vgs(最大值):
±15V
功率-最大值:
88.2W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTP30N06L' ) LIMIT 1
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：TO-220AB
外壳：TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
27A（Ta）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
88.2W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTP30N06' ) LIMIT 1
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：I-PAK
外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
描述：
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
24A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
2.5W（Ta），44W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
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包装量:
修改
起订量:10
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FQU30N06LTU' ) LIMIT 1
|
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D-Pak
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
22.7A（Tc）
Vgs(最大值):
±25V
功率-最大值:
2.5W（Ta），44W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
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修改
起订量:10
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FQD30N06TF' ) LIMIT 1
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D-Pak
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
24A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
2.5W（Ta），44W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FQD30N06LTM' ) LIMIT 1
|
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D2PAK
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Ta）
Vgs(最大值):
±15V
功率-最大值:
88.2W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTB30N06LT4G' ) LIMIT 1
|
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：TO-220AB
外壳：TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Ta）
Vgs(最大值):
±15V
功率-最大值:
88.2W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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起订量:10
修改
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTP30N06LG' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D2PAK
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
27A（Ta）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
88.2W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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修改
起订量:10
修改
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTB30N06G' ) LIMIT 1
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D2PAK
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Ta）
Vgs(最大值):
±15V
功率-最大值:
88.2W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
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包装量:
修改
起订量:10
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTB30N06L' ) LIMIT 1
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D2PAK
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Ta）
Vgs(最大值):
±15V
功率-最大值:
88.2W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
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修改
起订量:10
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTB30N06LG' ) LIMIT 1
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D2PAK
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
27A（Ta）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
88.2W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
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起订量:10
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTB30N06T4G' ) LIMIT 1
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品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D-Pak
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
24A（Tc）
Vgs(最大值):
±20V
功率-最大值:
2.5W（Ta），44W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
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包装量:
修改
起订量:10
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FQD30N06LTF' ) LIMIT 1
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：TO-220F
外壳：TO-220-3 整包
描述：
MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
21A（Tc）
Vgs(最大值):
±25V
功率-最大值:
39W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FQPF30N06' ) LIMIT 1
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D²PAK（TO-263AB）
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
30A（Tc）
Vgs(最大值):
±25V
功率-最大值:
3.75W（Ta），79W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FQB30N06TM' ) LIMIT 1
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：D-Pak
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
|
Fet类型:
N 通道
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
22.7A（Tc）
Vgs(最大值):
±25V
功率-最大值:
2.5W（Ta），44W（Tc）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
咨询客服
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FQD30N06TF_F080' ) LIMIT 1
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[0]=>
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string(26) "晶体管 单通道MOS管"
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string(4) "jtg8"
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string(5) "1.145"
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string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4950"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
品牌：
ONSEMI/安森美复制
封装：TO-220
外壳：TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
|
Fet类型:
MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压(vdss):
60V
电流-连续漏极(id):
120A（Tc）
Vgs(最大值):
功率-最大值:
205W
工作温度:
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
管件
修改
起订量:10
修改
咨询客服
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDP030N06B_F102' ) LIMIT 1
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