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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：SOD-123W
外壳：SOD-123W
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 200V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
950mV @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 17
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包装量:
修改
起订量:10
修改
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1DLW RVG' ) LIMIT 1
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 200V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
950mV @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1DL RVG' ) LIMIT 1
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：DO-214AC（SMA）
外壳：DO-214AC，SMA
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 200V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
950mV @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
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包装量:
修改
起订量:10
修改
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1D R3G' ) LIMIT 1
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：SOD-123W
外壳：SOD-123W
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 200V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
950mV @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 17
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1DLWHRVG' ) LIMIT 1
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：薄 SMA
外壳：DO-221AC，SMA 扁平引线
描述：
35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
1µA @ 200V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
950mV @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
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|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1DAL M3G' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：SOD-128
外壳：SOD-128
描述：
35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
1µA @ 200V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
950mV @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
咨询客服
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1DFS M3G' ) LIMIT 1
|
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|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：DO-214AC（SMA）
外壳：DO-214AC，SMA
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 200V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
950mV @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
|
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
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|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1D M2G' ) LIMIT 1
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|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：DO-214AC（SMA）
外壳：DO-214AC，SMA
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 200V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
950mV @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
咨询客服
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1DHM2G' ) LIMIT 1
|
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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：DO-214AC（SMA）
外壳：DO-214AC，SMA
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 200V
反向恢复时间(trr):
15ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
920mV @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
咨询客服
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1DV M2G' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 200V
反向恢复时间(trr):
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不同if时电压-正向(vf):
950mV @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
咨询客服
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1DL M2G' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 200V
反向恢复时间(trr):
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快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
950mV @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
咨询客服
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1DL RQG' ) LIMIT 1
|
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|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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string(6) "1.6300"
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：DO-214AC（SMA）
外壳：DO-214AC，SMA
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 200V
反向恢复时间(trr):
15ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
920mV @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
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二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 200V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
950mV @ 1A
工作温度-结:
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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
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二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 200V
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35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：DO-214AC（SMA）
外壳：DO-214AC，SMA
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 200V
反向恢复时间(trr):
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速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
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品牌：
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封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
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二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 200V
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品牌：
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封装：DO-214AC（SMA）
外壳：DO-214AC，SMA
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 200V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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品牌：
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封装：DO-214AC（SMA）
外壳：DO-214AC，SMA
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
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品牌：
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封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
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DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
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二极管类型:
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平均整流电流(io):
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