|
|
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：SOD-123FL
外壳：SOD-123F
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FL
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
咨询客服
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1JFL RVG' ) LIMIT 1
|
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：SOD-123W
外壳：SOD-123W
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 17
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
咨询客服
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1JLW RVG' ) LIMIT 1
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
咨询客服
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1JL RVG' ) LIMIT 1
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：DO-214AC（SMA）
外壳：DO-214AC，SMA
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
|
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
咨询客服
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1J R3G' ) LIMIT 1
|
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：SOD-128
外壳：SOD-128
描述：
35NS, 1A, 600V, SUPER FAST RECOV
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
1µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
咨询客服
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1JFS M3G' ) LIMIT 1
|
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：薄 SMA
外壳：DO-221AC，SMA 扁平引线
描述：
35NS, 1A, 600V, SUPER FAST RECOV
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
1µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
咨询客服
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1JAL M3G' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：SOD-123W
外壳：SOD-123W
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 17
|
|
10+:
￥1.80
12000+:
￥1.30
量大可议价
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
12000个/
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1JLWHRVG' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：SMAF
外壳：DO-221AC，SMA 扁平引线
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1JF R2G' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：DO-214AC（SMA）
外壳：DO-214AC，SMA
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1J M2G' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1JL M2G' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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string(37) "二极管 二极管-整流器-单路"
["action_name"]=>
string(2) "e3"
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string(2) "45"
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}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1JL RQG' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_ejg_zlq_d' array(1) {
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string(2) "45"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.6300"
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}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1
品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：DO-214AC（SMA）
外壳：DO-214AC，SMA
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
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包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
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起订量:10
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总额：
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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
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不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
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35ns
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不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
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起订量:10
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总额：
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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
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不同vr的电流-反向漏电流:
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1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
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包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1JLHRQG' ) LIMIT 1
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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
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二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
35ns
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不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
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起订量:10
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总额：
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1JLHRVG' ) LIMIT 1
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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
35ns
速度:
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不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1JL RUG' ) LIMIT 1
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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：DO-214AC（SMA）
外壳：DO-214AC，SMA
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
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不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
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二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
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不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
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-55°C ~ 15
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
修改
起订量:10
修改
总额：
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1JL R3G' ) LIMIT 1
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品牌：
TSC/台湾半导体复制
封装：Sub SMA
外壳：DO-219AB
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
|
二极管类型:
标准
平均整流电流(io):
1A
DC最大反向电压(Vr):
不同vr的电流-反向漏电流:
5µA @ 600V
反向恢复时间(trr):
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不同if时电压-正向(vf):
1.7V @ 1A
工作温度-结:
-55°C ~ 15
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|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
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起订量:10
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总额：
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1JLHR3G' ) LIMIT 1
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