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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 数量 操作
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状态： 在售 修改
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封装：8-SO
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述： MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
Fet类型: P 通道
漏源极电压(vdss): 40V
电流-连续漏极(id): 10A（Ta）
Vgs(最大值): ±20V
功率-最大值: 1.7W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级：-
标识：(VIP会员显示)
量大可议价
包装量: 修改
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起订量:10 修改
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型号： AO4485复制
状态： 在售 修改
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封装：8-SOIC
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述： MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
Fet类型: P 通道
漏源极电压(vdss): 40V
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功率-最大值: 1.7W（Ta）
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标识：(VIP会员显示)
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型号： AO4485_102复制
状态： 在售 修改
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封装：8-SO
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述： MOSFET P-CH 8SOIC
Fet类型: P 通道
漏源极电压(vdss): 40V
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标识：(VIP会员显示)
量大可议价
包装量: 修改
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型号： AO4485L复制
状态： 在售 修改
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封装：8-SOIC
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述： MOSFET P-CH 40V 8SOIC
Fet类型: P 通道
漏源极电压(vdss): 40V
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量大可议价
包装量: 修改
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型号： AO4485&20-VB复制
状态： 在售 修改
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封装：SOP8
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型号： AO4485&20-VB复制
状态： 在售 修改
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封装：SOP8
描述： SOP8；P—Channel沟道,-40V；-16.1A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；
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状态： 在售 修改
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封装：SOP8
描述： SOP8；P—Channel沟道,-40V；-16.1A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；
Fet类型: P—Channel沟道
漏源极电压(vdss): 40V
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等级：-
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包装量: 4000个/ 修改
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起订量:10 修改
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型号： AO4485&20-VB复制
状态： 在售 修改
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封装：SOP8
描述： SOP8；P—Channel沟道,-40V；-16.1A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；
Fet类型: P—Channel沟道
漏源极电压(vdss): 40V
电流-连续漏极(id): 1A
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功率-最大值:
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等级：-
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状态： 在售 修改
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封装：SOP-8
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述：
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漏源极电压(vdss):
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状态： 在售 修改
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封装：SOP-8
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述：
Fet类型:
漏源极电压(vdss):
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