|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_pmic_sjqdq' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1133"
["parent_id"]=>
string(2) "80"
["lb"]=>
string(33) "电源管理PMIC 栅极驱动器"
["action_name"]=>
string(2) "p4"
["rate"]=>
string(5) "1.113"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4630"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：8-SOIC
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
|
驱动配置:
半桥
通道类型:
独立式
驱动器数:
2
栅极类型:
IGBT，N 沟道 MOSFET
输入类型:
非反相
电压-电源(v):
10V ~ 20V
逻辑电压:
0.8V，2.9V
电流-峰值输出(灌入,拉出):
200mA，350mA
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包装量:
95个/
管件
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起订量:5
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2106SPBF' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_pmic_sjqdq' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1133"
["parent_id"]=>
string(2) "80"
["lb"]=>
string(33) "电源管理PMIC 栅极驱动器"
["action_name"]=>
string(2) "p4"
["rate"]=>
string(5) "1.113"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4630"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：14-SOIC
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC
|
驱动配置:
高压侧或低压侧
通道类型:
独立式
驱动器数:
2
栅极类型:
IGBT，N 沟道 MOSFET
输入类型:
非反相
电压-电源(v):
10V ~ 20V
逻辑电压:
0.8V，2.9V
电流-峰值输出(灌入,拉出):
200mA，350mA
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5+:
￥13.62
2500+:
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量大可议价
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包装量:
2500个/
卷带
修改
起订量:5
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总额：
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21064STRPBF' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_pmic_sjqdq' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1133"
["parent_id"]=>
string(2) "80"
["lb"]=>
string(33) "电源管理PMIC 栅极驱动器"
["action_name"]=>
string(2) "p4"
["rate"]=>
string(5) "1.113"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4630"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：-
外壳：-
描述：
HALF-BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
|
驱动配置:
-
通道类型:
-
驱动器数:
-
栅极类型:
-
输入类型:
-
电压-电源(v):
-
逻辑电压:
-
电流-峰值输出(灌入,拉出):
-
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
散装
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21064SPBF-INF' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_pmic_sjqdq' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1133"
["parent_id"]=>
string(2) "80"
["lb"]=>
string(33) "电源管理PMIC 栅极驱动器"
["action_name"]=>
string(2) "p4"
["rate"]=>
string(5) "1.113"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4630"
}
}
状态：
修改
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：8-SOIC
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
|
驱动配置:
半桥
通道类型:
独立式
驱动器数:
2
栅极类型:
IGBT，N 沟道 MOSFET
输入类型:
非反相
电压-电源(v):
10V ~ 20V
逻辑电压:
0.8V，2.9V
电流-峰值输出(灌入,拉出):
200mA，350mA
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|
5+:
￥8.17
2500+:
￥6.22
量大可议价
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2500个/
卷带
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起订量:5
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2106STRPBF' ) LIMIT 1
供应商:3
库存:1K+
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|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_pmic_sjqdq' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1133"
["parent_id"]=>
string(2) "80"
["lb"]=>
string(33) "电源管理PMIC 栅极驱动器"
["action_name"]=>
string(2) "p4"
["rate"]=>
string(5) "1.113"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4630"
}
}
状态：
最后售卖
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：8-PDIP
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
|
驱动配置:
半桥
通道类型:
独立式
驱动器数:
2
栅极类型:
IGBT，N 沟道 MOSFET
输入类型:
非反相
电压-电源(v):
10V ~ 20V
逻辑电压:
0.8V，2.9V
电流-峰值输出(灌入,拉出):
200mA，350mA
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包装量:
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2106PBF' ) LIMIT 1
|
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|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_pmic_sjqdq' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1133"
["parent_id"]=>
string(2) "80"
["lb"]=>
string(33) "电源管理PMIC 栅极驱动器"
["action_name"]=>
string(2) "p4"
["rate"]=>
string(5) "1.113"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4630"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：14-SOIC
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC
|
驱动配置:
高压侧或低压侧
通道类型:
独立式
驱动器数:
2
栅极类型:
IGBT，N 沟道 MOSFET
输入类型:
非反相
电压-电源(v):
10V ~ 20V
逻辑电压:
0.8V，2.9V
电流-峰值输出(灌入,拉出):
200mA，350mA
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起订量:5
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总额：
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21064STR' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_pmic_sjqdq' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1133"
["parent_id"]=>
string(2) "80"
["lb"]=>
string(33) "电源管理PMIC 栅极驱动器"
["action_name"]=>
string(2) "p4"
["rate"]=>
string(5) "1.113"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4630"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：8-SOIC
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
|
驱动配置:
半桥
通道类型:
独立式
驱动器数:
2
栅极类型:
IGBT，N 沟道 MOSFET
输入类型:
非反相
电压-电源(v):
10V ~ 20V
逻辑电压:
0.8V，2.9V
电流-峰值输出(灌入,拉出):
200mA，350mA
|
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包装量:
卷带（TR）
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2106STR' ) LIMIT 1
供应商:3
库存:38
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_pmic_sjqdq' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1133"
["parent_id"]=>
string(2) "80"
["lb"]=>
string(33) "电源管理PMIC 栅极驱动器"
["action_name"]=>
string(2) "p4"
["rate"]=>
string(5) "1.113"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4630"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：8-PDIP
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
|
驱动配置:
半桥
通道类型:
独立式
驱动器数:
2
栅极类型:
IGBT，N 沟道 MOSFET
输入类型:
非反相
电压-电源(v):
10V ~ 20V
逻辑电压:
0.8V，2.9V
电流-峰值输出(灌入,拉出):
200mA，350mA
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
50个/
管件
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起订量:5
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2106' ) LIMIT 1
供应商:3
库存:53
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_pmic_sjqdq' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1133"
["parent_id"]=>
string(2) "80"
["lb"]=>
string(33) "电源管理PMIC 栅极驱动器"
["action_name"]=>
string(2) "p4"
["rate"]=>
string(5) "1.113"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4630"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：14-DIP
外壳：14-DIP(7.62mm)
描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP
|
驱动配置:
高压侧或低压侧
通道类型:
独立式
驱动器数:
2
栅极类型:
IGBT，N 沟道 MOSFET
输入类型:
非反相
电压-电源(v):
10V ~ 20V
逻辑电压:
0.8V，2.9V
电流-峰值输出(灌入,拉出):
200mA，350mA
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
管件
修改
起订量:5
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21064' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_pmic_sjqdq' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1133"
["parent_id"]=>
string(2) "80"
["lb"]=>
string(33) "电源管理PMIC 栅极驱动器"
["action_name"]=>
string(2) "p4"
["rate"]=>
string(5) "1.113"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4630"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：14-SOIC
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC
|
驱动配置:
高压侧或低压侧
通道类型:
独立式
驱动器数:
2
栅极类型:
IGBT，N 沟道 MOSFET
输入类型:
非反相
电压-电源(v):
10V ~ 20V
逻辑电压:
0.8V，2.9V
电流-峰值输出(灌入,拉出):
200mA，350mA
|
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
管件
修改
起订量:5
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21064S' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_pmic_sjqdq' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1133"
["parent_id"]=>
string(2) "80"
["lb"]=>
string(33) "电源管理PMIC 栅极驱动器"
["action_name"]=>
string(2) "p4"
["rate"]=>
string(5) "1.113"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4630"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：8-SOIC
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
|
驱动配置:
半桥
通道类型:
独立式
驱动器数:
2
栅极类型:
IGBT，N 沟道 MOSFET
输入类型:
非反相
电压-电源(v):
10V ~ 20V
逻辑电压:
0.8V，2.9V
电流-峰值输出(灌入,拉出):
200mA，350mA
|
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
95个/
管件
修改
起订量:5
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2106S' ) LIMIT 1
|
|
|
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_pmic_sjqdq' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1133"
["parent_id"]=>
string(2) "80"
["lb"]=>
string(33) "电源管理PMIC 栅极驱动器"
["action_name"]=>
string(2) "p4"
["rate"]=>
string(5) "1.113"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4630"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：14-DIP
外壳：14-DIP(7.62mm)
描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP
|
驱动配置:
高压侧或低压侧
通道类型:
独立式
驱动器数:
2
栅极类型:
IGBT，N 沟道 MOSFET
输入类型:
非反相
电压-电源(v):
10V ~ 20V
逻辑电压:
0.8V，2.9V
电流-峰值输出(灌入,拉出):
200mA，350mA
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
管件
修改
起订量:5
修改
总额：
|
SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21064PBF' ) LIMIT 1
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_pmic_sjqdq' array(1) {
[0]=>
array(7) {
["wl_num"]=>
string(4) "1133"
["parent_id"]=>
string(2) "80"
["lb"]=>
string(33) "电源管理PMIC 栅极驱动器"
["action_name"]=>
string(2) "p4"
["rate"]=>
string(5) "1.113"
["rate_hot"]=>
string(2) "35"
["moq_rate"]=>
string(6) "1.4630"
}
}
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：14-SOIC
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC
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驱动配置:
高压侧或低压侧
通道类型:
独立式
驱动器数:
2
栅极类型:
IGBT，N 沟道 MOSFET
输入类型:
非反相
电压-电源(v):
10V ~ 20V
逻辑电压:
0.8V，2.9V
电流-峰值输出(灌入,拉出):
200mA，350mA
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
包装量:
管件
修改
起订量:5
修改
总额：
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21064SPBF' ) LIMIT 1
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