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元器件型号：55552 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： AS6C4016A-45ZIN
品牌： Alliance Memory, Inc. Alliance 联盟记忆
描述： IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
存储容量：4Mb （256K x 16）
电压 - 电源：2.7V ~ 5.5V
外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
封装：44-TSOP2
料号：C1-41
包装： 托盘
10+:￥27.7800
750+:￥26.6225
1500+:￥24.7705
3000+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AS6C4016A-45ZIN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alliance Memory, Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C4016A-45ZIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C4016A-45ZIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C4016A-45ZIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： S25FL128P0XNFI011
品牌： Cypress Semiconductor Corp Cypress 赛普拉斯
描述： IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8USON
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签:
类别： 存储器
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：128Mb （16M x 8）
电压 - 电源：-40°C ~ 85°C（TA）
外壳：8-USON（5x6）
封装：
料号：C1-42
包装： 管件
10+:￥27.7800
750+:￥26.6225
1500+:￥24.7705
3000+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S25FL128P0XNFI011' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cypress Semiconductor Corp' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL128P0XNFI011' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL128P0XNFI011' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL128P0XNFI011' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AS6C4008A-55SIN
品牌： Alliance Memory, Inc. Alliance 联盟记忆
描述： IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
存储容量：4Mb （512K x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
外壳：32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽）
封装：32-SOP
料号：C1-43
包装： 管件
10+:￥27.7800
750+:￥26.6225
1500+:￥24.7705
3000+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AS6C4008A-55SIN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alliance Memory, Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C4008A-55SIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C4008A-55SIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C4008A-55SIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AS6C4008A-55STIN
品牌： Alliance Memory, Inc. Alliance 联盟记忆
描述： IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP I
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
存储容量：4Mb （512K x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
外壳：32-LFSOP（0.465"，11.80mm 宽）
封装：32-sTSOP
料号：C1-44
包装： 234个/ 托盘
10+:￥27.7800
50+:￥26.6225
100+:￥24.7705
234+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AS6C4008A-55STIN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alliance Memory, Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C4008A-55STIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C4008A-55STIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C4008A-55STIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AS6C4008A-55TIN
品牌： Alliance Memory, Inc. Alliance 联盟记忆
描述： IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
存储容量：4Mb （512K x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
外壳：32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
封装：32-TSOP I
料号：C1-45
包装： 托盘
10+:￥27.7800
750+:￥26.6225
1500+:￥24.7705
3000+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AS6C4008A-55TIN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alliance Memory, Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C4008A-55TIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C4008A-55TIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C4008A-55TIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 71256SA15TPGI
品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc IDT (艾迪特)->瑞萨
描述： IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签:
类别： 存储器
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
存储容量：256Kb （32K x 8）
电压 - 电源：4.5V ~ 5.5V
外壳：28-DIP（0.300"，7.62mm）
封装：28-PDIP
料号：C1-46
包装： 管件
10+:￥27.7800
750+:￥26.6225
1500+:￥24.7705
3000+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '71256SA15TPGI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IDT, Integrated Device Technology Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '71256SA15TPGI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '71256SA15TPGI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '71256SA15TPGI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 71256SA20TPGI
品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc IDT (艾迪特)->瑞萨
描述： IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签:
类别： 存储器
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
存储容量：256Kb （32K x 8）
电压 - 电源：4.5V ~ 5.5V
外壳：28-DIP（0.300"，7.62mm）
封装：28-PDIP
料号：C1-47
包装： 管件
10+:￥27.7800
750+:￥26.6225
1500+:￥24.7705
3000+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '71256SA20TPGI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IDT, Integrated Device Technology Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '71256SA20TPGI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '71256SA20TPGI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '71256SA20TPGI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AS4C128M8D3-12BCN
品牌： Alliance Memory, Inc. Alliance 联盟记忆
描述： IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：1Gb（128M x 8）
电压 - 电源：1.425V ~ 1.575V
外壳：78-TFBGA
封装：78-FBGA（8x10.5）
料号：C1-48
包装： 托盘
10+:￥27.7800
750+:￥26.6225
1500+:￥24.7705
3000+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AS4C128M8D3-12BCN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alliance Memory, Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C128M8D3-12BCN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C128M8D3-12BCN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C128M8D3-12BCN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AS4C64M16D3-12BCNTR
品牌： Alliance Memory, Inc. Alliance 联盟记忆
描述： IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：1Gb （64M x 16）
电压 - 电源：1.425V ~ 1.575V
外壳：96-TFBGA
封装：96-FBGA (9x13)
料号：C1-49
包装： 标准卷带
10+:￥27.7800
750+:￥26.6225
1500+:￥24.7705
3000+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AS4C64M16D3-12BCNTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alliance Memory, Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C64M16D3-12BCNTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C64M16D3-12BCNTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C64M16D3-12BCNTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： AS4C16M16D1-5BIN
品牌： Alliance Memory, Inc. Alliance 联盟记忆
描述： IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：256Mb （16M x 16）
电压 - 电源：2.3V ~ 2.7V
外壳：60-TFBGA
封装：60-TFBGA（8x13）
料号：C1-50
包装： 240个/ 托盘
10+:￥27.7800
50+:￥26.6225
100+:￥24.7705
240+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AS4C16M16D1-5BIN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alliance Memory, Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C16M16D1-5BIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C16M16D1-5BIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C16M16D1-5BIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： S29GL128P11TFIV20
品牌： Cypress Semiconductor Corp Cypress 赛普拉斯
描述： IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：128Mb （16M x 8）
电压 - 电源：1.65V ~ 3.6V
外壳：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
封装：56-TSOP
料号：C1-51
包装： 91个/ 托盘
10+:￥27.7800
50+:￥26.6225
100+:￥24.7705
91+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S29GL128P11TFIV20' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cypress Semiconductor Corp' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29GL128P11TFIV20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29GL128P11TFIV20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29GL128P11TFIV20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： S29GL128P90TAIR10
品牌： Cypress Semiconductor Corp Cypress 赛普拉斯
描述： IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 标签:
类别： 存储器
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：128Mb （16M x 8）
电压 - 电源：-40°C ~ 85°C（TA）
外壳：56-TSOP
封装：
料号：C1-52
包装： 托盘
10+:￥27.7800
750+:￥26.6225
1500+:￥24.7705
3000+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S29GL128P90TAIR10' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cypress Semiconductor Corp' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29GL128P90TAIR10' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29GL128P90TAIR10' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29GL128P90TAIR10' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 71V424S12YG
品牌： IDT, Integrated Device Technology Inc IDT (艾迪特)->瑞萨
描述： IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
存储容量：4Mb （512K x 8）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
外壳：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
封装：36-SOJ
料号：C1-53
包装： 20个/ 管件
10+:￥27.7800
50+:￥26.6225
100+:￥24.7705
20+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '71V424S12YG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IDT, Integrated Device Technology Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '71V424S12YG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '71V424S12YG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '71V424S12YG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AS4C64M8D2-25BCN
品牌： Alliance Memory, Inc. Alliance 联盟记忆
描述： IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：512Mb （64M x 8）
电压 - 电源：1.7V ~ 1.9V
外壳：60-TFBGA
封装：60-FBGA（8x10）
料号：C1-54
包装： 264个/ 托盘
10+:￥27.7800
50+:￥26.6225
100+:￥24.7705
264+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AS4C64M8D2-25BCN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alliance Memory, Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C64M8D2-25BCN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C64M8D2-25BCN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C64M8D2-25BCN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： S29PL032J70BFI123
品牌： Cypress Semiconductor Corp Cypress 赛普拉斯
描述： IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （2M x 16） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-VFBGA 标签:
类别： 存储器
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：32Mb （2M x 16）
电压 - 电源：-40°C ~ 85°C（TA）
外壳：48-FBGA（8.15x6.15）
封装：
料号：C1-55
包装： 标准卷带
10+:￥27.7800
750+:￥26.6225
1500+:￥24.7705
3000+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S29PL032J70BFI123' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cypress Semiconductor Corp' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29PL032J70BFI123' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29PL032J70BFI123' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29PL032J70BFI123' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： AS6C4008A-55BINTR
品牌： Alliance Memory, Inc. Alliance 联盟记忆
描述： IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （2M x 16） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-VFBGA 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
存储容量：4Mb （512K x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
外壳：36-TFBGA
封装：36-TFBGA（6x8）
料号：C1-56
包装： 标准卷带
10+:￥27.7800
750+:￥26.6225
1500+:￥24.7705
3000+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AS6C4008A-55BINTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alliance Memory, Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C4008A-55BINTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C4008A-55BINTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C4008A-55BINTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AS4C16M16D1-5BINTR
品牌： Alliance Memory, Inc. Alliance 联盟记忆
描述： IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （2M x 16） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-VFBGA 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：256Mb （16M x 16）
电压 - 电源：2.3V ~ 2.7V
外壳：60-TFBGA
封装：60-TFBGA（8x13）
料号：C1-57
包装： 2500个/ 标准卷带
10+:￥27.7800
625+:￥26.6225
1250+:￥24.7705
2500+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AS4C16M16D1-5BINTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alliance Memory, Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C16M16D1-5BINTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C16M16D1-5BINTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C16M16D1-5BINTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： S29PL032J60BFI123
品牌： Cypress Semiconductor Corp Cypress 赛普拉斯
描述： IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （2M x 16） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-VFBGA 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （2M x 16） 存储器接口:60ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：32Mb （2M x 16）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
外壳：48-VFBGA
封装：48-FBGA（8.15x6.15）
料号：C1-58
包装： 标准卷带
10+:￥27.7800
750+:￥26.6225
1500+:￥24.7705
3000+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S29PL032J60BFI123' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cypress Semiconductor Corp' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29PL032J60BFI123' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29PL032J60BFI123' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： S29PL032J60BFW123
品牌： Cypress Semiconductor Corp Cypress 赛普拉斯
描述： IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （2M x 16） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-VFBGA 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （2M x 16） 存储器接口:60ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （2M x 16） 存储器接口:60ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：32Mb （2M x 16）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
外壳：48-VFBGA
封装：48-FBGA（8.15x6.15）
料号：C1-59
包装： 标准卷带
10+:￥27.7800
750+:￥26.6225
1500+:￥24.7705
3000+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S29PL032J60BFW123' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cypress Semiconductor Corp' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： S29PL032J70BAI123
品牌： Cypress Semiconductor Corp Cypress 赛普拉斯
描述： IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-UDFN 裸露焊盘 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （2M x 16） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-VFBGA 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （2M x 16） 存储器接口:60ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （2M x 16） 存储器接口:60ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （2M x 16） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：32Mb （2M x 16）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
外壳：48-VFBGA
封装：48-FBGA（8.15x6.15）
料号：C1-60
包装： 标准卷带
10+:￥27.7800
750+:￥26.6225
1500+:￥24.7705
3000+:￥24.6548
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S29PL032J70BAI123' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cypress Semiconductor Corp' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29PL032J70BAI123' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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