元器件型号:55515
当前类别共55515 件相关商品

系列

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制造商统称

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制造商统称

清除

类目

清除

*存储器类型

  • -
  • DRAM
  • EEPROM
  • EERAM
  • EPROM
  • FRAM
  • NVSRAM
  • PROM
  • PSRAM
  • RAM
  • SRAM
  • 易失
  • 闪存
  • 非易失
清除

*存储器格式

  • -
  • CAM
  • CBRAM®
  • DRAM
  • EEPROM
  • EEPROM,SRAM
  • EERAM
  • EPROM
  • EPROM - OTP
  • EPROM - UV
  • FLASH - NAND(MLC)
  • FLASH - NAND(SLC)
  • FLASH - NAND(TLC)
  • FLASH - NAND(pSLC)
  • FLASH - NOR
  • FLASH - NOR(MLC)
  • FLASH - 引导块
  • FLASH,RAM
  • FRAM
  • FRAM(铁电体 RAM)
  • LLDRAM2
  • MRAM(磁阻式 RAM)
  • NVSRAM
  • NVSRAM(非易失性 SRAM)
  • PCM(PRAM)
  • PROM
  • PSRAM
  • PSRAM(伪 SRAM)
  • RAM
  • ReRAM(电阻式 RAM)
  • SDRAM
  • SDRAM - DDR
  • SDRAM - DDR2
  • SDRAM - DDR3
  • SDRAM - DDR3L
  • SDRAM - DDR4
  • SDRAM - Mobile LPDDR4
  • SRAM
  • SRAM - DDR2
  • SRAM - Standard
  • SRAM - 双端口,同步
  • SRAM - 双端口,异步
  • SRAM - 同步
  • SRAM - 同步,DDR II
  • SRAM - 同步,DDR II+
  • SRAM - 同步,QDR II
  • SRAM - 同步,QDR II+
  • SRAM - 同步,QDR IV
  • SRAM - 同步,SDR
  • SRAM - 同步,SDR(ZBT)
  • SRAM - 同步,ZBT
  • SRAM - 同步,标准
  • SRAM - 四端口,同步
  • SRAM - 四端口,同步,DDR II
  • SRAM - 四端口,同步,DDR II+
  • SRAM - 四端口,同步,QDR II
  • SRAM - 四端口,同步,QDR II+
  • SRAM - 四端口,同步,QDR IIIe
  • SRAM - 四端口,同步,QDR IVe
  • SRAM - 异步
  • SRAM - 异步,ZBT
  • 闪存
  • 闪存 - NAND
清除

技术

  • -
  • 1.25Kb(32 字节 x 5 页)
  • 1.152Mb(32K x 36)
  • 1.152Mb(64K x 18)
  • 1Gb(64M x 16)
  • 1Gb(128M x 8)
  • 1Kb(1K x 1)
  • 1Kb(64 x 16)
  • 1Kb(128 x 8)
  • 1Kb(128 x 8,64 x 16)
  • 1Mb(1M x 1)
  • 1Mb(32K x 32)
  • 1Mb(64K x 16)
  • 1Mb(64K x 18)
  • 1Mb(128K x 8)
  • 1Mb(256 x 4)
  • 1Mb(256K x 4)
  • 1T-SRAM
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  • 2Gb(128M x 16)
  • 2Gb(256M x 8)
  • 2Gb(512M x 4)
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  • 2Kb(128 x 16,256 x 8)
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  • 2Mb(128K x 18)
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  • 4.5Mb(128K x 36)
  • 4.5Mb(256K x 18)
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  • 9Mb(512K x 18)
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  • 16Mb(2M x 8)
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  • 18Mb(512K x 36)
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  • 32Gb(4G x 8)
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  • 32Kb(2K x 16)
  • 32Kb(4K x 8)
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  • 32Mb(32Mb(4M x 8,2M x 16))
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  • 64Kb(8K x 8)
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  • 64Mb(16M x 4)
  • 64b(16 x 4)
  • 72Kb(4K x 18)
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  • 128Kb(8K x 16)
  • 128Kb(16K x 8)
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  • 128Mb(16M x 8,8M x 16)
  • 144Kb(8K x 18)
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  • 144Mb(8M x 18)
  • 256Gb(32G x 8)
  • 256Kb
  • 256Kb(16K x 16)
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  • 256Mb(32M x 8)
  • 256Mb(32M x 8,16M x 16)
  • 256Mb(64M x 4)
  • 256b(16 x 16)
  • 256b(32 x 8)
  • 288Kb(16K x 18)
  • 288Kb(32K x 9)
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  • 288Mb(16M x 18)
  • 512Gb(64G x 8)
  • 512Kb(32K x 16)
  • 512Kb(64K x 8)
  • 512Mb(16M x 32)
  • 512Mb(32M x 16)
  • 512Mb(64M x 8,32M x 16)
  • 576Mb(16M x 36)
  • 576Mb(32M x 18)
  • CAM
  • CBRAM
  • DRAM
  • DRAM - EDO
  • DRAM - FP
  • EEPROM
  • EEPROM,SRAM
  • EPROM - OTP
  • EPROM - UV
  • FLASH
  • FLASH - NAND
  • FLASH - NAND(MLC)
  • FLASH - NAND(SLC)
  • FLASH - NAND(SLC),FLASH - NAND(TLC)
  • FLASH - NAND(TLC)
  • FLASH - NAND(pMLC)
  • FLASH - NAND(pSLC)
  • FLASH - NAND,DRAM - LPDDR
  • FLASH - NAND,DRAM - LPDDR2
  • FLASH - NAND,DRAM - LPDDR4
  • FLASH - NAND,FLASH - NOR
  • FLASH - NAND,移动 LPDRAM
  • FLASH - NOR
  • FLASH - NOR,DRAM - LPDDR2
  • FLASH - NOR,Mobile LPDDR SDRAM
  • FLASH - NOR,PSRAM
  • FLASH - 引导块
  • FLASH,DRAM
  • FLASH,PSRAM
  • FLASH,SRAM
  • FRAM(铁电体 RAM)
  • HyperRAM
  • LLDRAM
  • LLDRAM2
  • MRAM(磁阻式 RAM)
  • NVSRAM(非易失性 SRAM)
  • PCM - LPDDR2,MCP - LPDDR2
  • PCM(PRAM)
  • PSRAM(伪 SRAM)
  • RAM
  • RLDRAM 3
  • ReRAM(电阻式 RAM)
  • SARAM
  • SDRAM
  • SDRAM - DDR
  • SDRAM - DDR2
  • SDRAM - DDR3
  • SDRAM - DDR3L
  • SDRAM - DDR4
  • SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
  • SDRAM - Mobile LPDDR3
  • SDRAM - Mobile LPDDR4
  • SDRAM - Mobile SDRAM
  • SDRAM - 移动
  • SDRAM - 移动 LPDDR
  • SDRAM - 移动 LPDDR2
  • SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B
  • SDRAM - 移动 LPDDR4X
  • SDRAM - 移动 LPDDR5
  • SDRAM - 移动 LPSDR
  • SGRAM - GDDR5
  • SGRAM - GDDR6
  • SRAM
  • SRAM - DDR2
  • SRAM - Quad Port,Synchronous,DDR II
  • SRAM - Standard
  • SRAM - Synchronous,Standard
  • SRAM - Synchronous,ZBT
  • SRAM - 双端口,MoBL
  • SRAM - 双端口,同步
  • SRAM - 双端口,同步 QDR II
  • SRAM - 双端口,异步
  • SRAM - 双端口,异步,标准
  • SRAM - 双端口,标准
  • SRAM - 同步
  • SRAM - 同步,DDR
  • SRAM - 同步,DDR II
  • SRAM - 同步,DDR II+
  • SRAM - 同步,DDR IIP
  • SRAM - 同步,QDR
  • SRAM - 同步,QDR II
  • SRAM - 同步,QDR II+
  • SRAM - 同步,QDR IV
  • SRAM - 同步,QUAD
  • SRAM - 同步,QUADP
  • SRAM - 同步,SDR
  • SRAM - 同步,SDR(ZBT)
  • SRAM - 同步,ZBT
  • SRAM - 同步,标准
  • SRAM - 四端口,同步
  • SRAM - 四端口,同步,DDR II
  • SRAM - 四端口,同步,DDR II+
  • SRAM - 四端口,同步,QDR II
  • SRAM - 四端口,同步,QDR II+
  • SRAM - 四端口,同步,QDR IIIe
  • SRAM - 四端口,同步,QDR IVe
  • SRAM - 四端口,异步
  • SRAM - 异步
  • SRAM,RLDRAM
  • 闪存
  • 闪存 - NAND
  • 闪存 - NAND,移动 LPDRAM
清除

*存储容量

  • -
  • 1-Wire®
  • 1.5K(6 页 x 32 字节)
  • 1.5Tb(192G x 8)
  • 1.25Kb (32 字节 x 5 页)
  • 1.125Gb(32Mb x 36)
  • 1.125Gb(64Mb x 18)
  • 1.125Mb (32K x 36)
  • 1.125Mb (64K x 18)
  • 1.125Mb (128K x 9)
  • 1.125Tb(144G x 8)
  • 1.152Gb(16M x 72)
  • 1.152Mb (32K x 36)
  • 1.152Mb(64K x 18)
  • 1.152Mb (64K x 18)
  • 1.152Mb (128K x 9)
  • 1.152Mb(128K x 9)
  • 1Gb(1G x 1)
  • 1Gb (1G x 1)
  • 1Gb(32M x 32)
  • 1Gb (32M x 32)
  • 1Gb (64M x 16)
  • 1Gb(64M x 16)
  • 1Gb (64M x 16)(NAND),256Mb (8M x 32)(LPDRAM)
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  • 1Gb (64M x 16)(NAND),512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
  • 1Gb(64M x 16,32M x 32)
  • 1Gb(128K x 8)
  • 1Gb (128M x 8)
  • 1Gb(128M x 8)
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  • 1Gb(128M x 8)(NAND),1G(32M x 32)(LPDDR2)
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  • 1Gb (128M x 8)(NAND),512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
  • 1Gb(128M x 8)(NAND),512M(16M x 32)(LPDRAM)
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  • 1Gb (128M x 8,64M x 16)
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  • 1Kb (1K x 1)
  • 1Kb(1K x 1)
  • 1Kb(64 x 16)
  • 1Kb (64 x 16)
  • 1Kb(64 x 16,128 x 8)
  • 1Kb(128 x 8 或 64 x 16)
  • 1Kb(128 x 8 ,64 x 16)
  • 1Kb (128 x 8)
  • 1Kb(128 x 8)
  • 1Kb(128 x 8,64 x 16)
  • 1Kb (256 x 4)
  • 1Kb(256 x 4)
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  • 1Mb (128K x 8)
  • 1Mb(128K x 8)
  • 1Mb (128K x 8,32K x 32,64K x 16)
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  • 1Mb (256 字节 x 512 页)
  • 1Mb(256K x 4)
  • 1Mb (256K x 4)
  • 1Mb (264 字节 x 512 页)
  • 1Tb (128G x 8)
  • 1Tb(128G x 8)
  • 2.25Mb (128K x 18)
  • 2Gb(2G x 1)
  • 2Gb (2G x 1)
  • 2Gb (64M x 32)
  • 2Gb(64M x 32)
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  • 2Gb(128M x 16)
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  • 2Gb (256M x 8)
  • 2Gb(256M x 8)
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  • 2Gb(256M x 8,128M x 16)
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  • 2Gb(NAND),1Gb(LPDDR)
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  • 2Kb (2K x 1)
  • 2Kb(2K x 1)
  • 2Kb(128 x 8 x 2)
  • 2Kb (128 x 8 x 2)
  • 2Kb(128 x 16)
  • 2Kb (128 x 16)
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  • 2Kb (256 x 8)
  • 2Kb(256 x 8)
  • 2Kb (256 x 8)
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  • 2Kb (256 x 8,128 x 16)
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  • 2Mb(64K x 32)
  • 2Mb (64K x 36)
  • 2Mb(64K x 36)
  • 2Mb(128K x 16)
  • 2Mb (128K x 16)
  • 2Mb(128K x 18)
  • 2Mb (128K x 18)
  • 2Mb(256 字节 x 1024 页)
  • 2Mb (256 字节 x 1024 页)
  • 2Mb (256K x 8)
  • 2Mb(256K x 8)
  • 2Mb (256K x 8,128K x 16)
  • 2Mb(256M x 8)
  • 2Mb (264 字节 x 1024 页)
  • 2Mb(264 字节 x 1024 页)
  • 2M(1024 页 x 256 字节)
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  • 3Mb(128K x 24)
  • 3Mb (128K x 24)
  • 3Mb (256K x 12)
  • 3Tb(384G x 8)
  • 4.5Mb(128K x 36)
  • 4.5Mb (128K x 36)
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  • 4.5Mb(256K x 18)
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  • 4Gb(4G x 1)
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  • 4Mb(256K x 16)
  • 4Mb(256K x 18)
  • 4Mb (256K x 18)
  • 4Mb (264 字节 x 2048 页)
  • 4Mb(264 字节 x 2048 页)
  • 4Mb (512K x 8)
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  • 896b (112 x 8)
  • CFI
  • HSTL
  • I²C
  • LVSTL
  • POD
  • SDRAM - Mobile LPDDR4
  • SPI
  • SPI - 八 I/O
  • SPI - 四 I/O
  • SPI - 四 I/O,QPI
  • SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • SSTL_2
  • SSTL_15
  • SSTL_18
  • eMMC
  • 并联
清除

存储器组织

清除

存储器接口

  • -
  • -, 650µs
  • -25°C ~ 85°C(TA)
  • -40°C ~ 85°C(TA)
  • -40°C ~ 105°C(TA)
  • -,3ms
  • 0°C ~ 70°C(TA)
  • 1 MHz
  • 1-Wire®
  • 1.066 GHz
  • 1.1V
  • 1.2GHz
  • 1.2V
  • 1.2V ~ 1.35V
  • 1.2V,1.8V
  • 1.2µs
  • 1.3V ~ 1.4V
  • 1.3V ~ 1.545V
  • 1.5ms
  • 1.6 GHz
  • 1.6V ~ 5.5V
  • 1.6ms
  • 1.7V ~ 1.9V
  • 1.7V ~ 1.95V
  • 1.7V ~ 2V
  • 1.7V ~ 2V,2.3V ~ 2.7V
  • 1.7V ~ 3.6V
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  • 1.8V
  • 1.8V ~ 3.6V
  • 1.8V ~ 5.5V
  • 1.8ms
  • 1.8ns
  • 1.14V ~ 1.3V
  • 1.14V ~ 1.26V
  • 1.14V ~ 1.95V
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  • 1.65V ~ 1.95V
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  • 1.65V ~ 2.25V
  • 1.65V ~ 2V
  • 1.65V ~ 3.6V
  • 1.65V ~ 4.4V
  • 1.283V ~ 1.45V
  • 1.333 GHz
  • 1.467 GHz
  • 1Gb(128M x 8)
  • 1ms
  • 1µs
  • 2 MHz
  • 2.1V ~ 3.6V
  • 2.2V ~ 3.6V
  • 2.2V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V
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  • 2.4V ~ 3.6V
  • 2.4ms
  • 2.5V ~ 2.7V
  • 2.5V ~ 3.6V
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  • 2.6ms
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  • 2.7V ~ 3.3V
  • 2.7V ~ 3.6V
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  • 2.375V ~ 2.625V
  • 2V ~ 3.6V
  • 2V ~ 5.5V
  • 2ms
  • 2µs
  • 3 MHz
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  • 3.2ns
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  • 3.5ns
  • 3.5µs
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  • 5ns
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  • 5µs,2.5ms
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  • 7.5ns
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  • 7ns
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  • 333MHz
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  • 并联
清除

时钟频率

  • -
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  • 75MHz
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  • 83MHz
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  • 86MHz
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  • 104MHz
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  • 117MHz
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  • 133MHz
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  • 166MHz
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  • 200MHz
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  • 267MHz
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  • 533MHz
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  • 933MHz
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  • HyperBus
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  • I²C,单线
  • LVSTL_11
  • MMC
  • SDRAM - Mobile LPDDR4
  • SPI
  • SPI - 八 I/O
  • SPI - 双 I/O
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  • SPI,QPI
  • SSTL_15
  • SSTL_18
  • UFS
  • Xccela 总线
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  • 串行
  • 单线
  • 并联
  • 并联,SPI
清除

写周期时间 - 字,页

  • -
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  • SDRAM - Mobile LPDDR4
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  • 并联,SPI
清除

访问时间

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  • 3.5 ns
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  • 4.2 ns
  • 4.2ns
  • 4.5 ns
  • 4.5 µs
  • 4.5V ~ 5.5V
  • 4.7ms,22µs
  • 4.75V ~ 5.25V
  • 4V ~ 6.5V
  • 4ms
  • 4ns
  • 5 ns
  • 5.4 ns
  • 5.4ns
  • 5.5 ns
  • 5.5ns
  • 5V
  • 5ms
  • 5µs
  • 5µs,2.5ms
  • 5µs,3ms
  • 5µs,5ms
  • 6 ns
  • 6.3 ns
  • 6.5 ns
  • 6.5ns
  • 6.7 ns
  • 6.7ns
  • 6ms
  • 6ns
  • 6µs,5ms
  • 7 ns
  • 7.5 ns
  • 7.5ns
  • 7ms
  • 7ns
  • 7µs,3ms
  • 7µs,5ms
  • 8 ns
  • 8.5 ns
  • 8.5ns
  • 8ms
  • 8ms,1ms
  • 8ms,2.8ms
  • 8ms,5ms
  • 8ns
  • 8µs,1.75ms
  • 8µs,2.5ms
  • 8µs,2.75ms
  • 8µs,3.5ms
  • 8µs,3ms
  • 8µs,4ms
  • 8µs,5ms
  • 8µs,6ms
  • 9 ns
  • 9ms
  • 9ns
  • 10 ns
  • 10ms
  • 10ns
  • 10µs
  • 12 ns
  • 12ns
  • 12µs,2.4ms
  • 12µs,3ms
  • 12µs,5ms
  • 12µs,8ms
  • 13 ns
  • 13.75 ns
  • 13.75ns
  • 14 ns
  • 14.4ns
  • 14ms
  • 14ns
  • 15 ns
  • 15 µs
  • 15ms
  • 15ms,3ms
  • 15ms,5ms
  • 15ms,7ms
  • 15ns
  • 15µs
  • 15µs,5ms
  • 16 ns
  • 16ns
  • 17 ns
  • 17ms
  • 17ns
  • 18 ns
  • 18ns
  • 19 ns
  • 20 ns
  • 20ms
  • 20ns
  • 20µs
  • 20µs,12ms
  • 22 ns
  • 22µs,8ms
  • 25 ns
  • 25ns
  • 25µs
  • 27ns
  • 28 ns
  • 29ns
  • 30 ns
  • 30ns
  • 30µs,1.5ms
  • 30µs,1ms
  • 30µs,3ms
  • 30µs,6ms
  • 30µs,750µs
  • 30µs,800µs
  • 35 ns
  • 35ns
  • 35µs
  • 36 ns
  • 36ns
  • 40 ns
  • 40ms,3ms
  • 40ns
  • 40µs
  • 40µs, 1.2ms
  • 40µs,3ms
  • 45 ns
  • 45ns
  • 50 ns
  • 50ms
  • 50ns
  • 50µs
  • 50µs,1.2ms
  • 50µs,1ms
  • 50µs,2.4ms
  • 50µs,3ms
  • 50µs,4ms
  • 50µs,10ms
  • 54 ns
  • 54ns
  • 55 ns
  • 55ns
  • 55µs, 6ms
  • 60 ns
  • 60ns
  • 60µs
  • 60µs, 6ms
  • 60µs,1.5ms
  • 60µs,3ms
  • 60µs,5ms
  • 60µs,12ms
  • 60µs,750µs
  • 65 ns
  • 65ns
  • 70 ns
  • 70ns
  • 75 ns
  • 75ns
  • 80 ns
  • 80ns
  • 84ns
  • 85 ns
  • 85ns
  • 90 ns
  • 90ms
  • 90ns
  • 95 ns
  • 95ns
  • 96 ns
  • 96ns
  • 97µs, 6ms
  • 100 ns
  • 100ns
  • 100µs
  • 100µs, 1.2ms
  • 100µs,2.5ms
  • 100µs,3ms
  • 100µs,4ms
  • 100µs,5ms
  • 100µs,10ms
  • 100µs,50ns
  • 104ns
  • 105 ns
  • 105ns
  • 110 ns
  • 110ns
  • 115ns
  • 120 ns
  • 120MHz
  • 120ns
  • 120µs
  • 125ns
  • 130 ns
  • 130ns
  • 135ns
  • 140 ns
  • 140ns
  • 150 ns
  • 150ns
  • 150ns,400µs
  • 150µs
  • 150µs,5ms
  • 166MHz
  • 170ns
  • 200 ns
  • 200ns
  • 200µs
  • 250 ns
  • 250ns
  • 280µs
  • 300 ps
  • 300MHz
  • 300ns
  • 300µs
  • 300µs,3ms
  • 300µs,5ms
  • 300µs,6ms
  • 300µs,7ms
  • 320µs
  • 333MHz
  • 350 ps
  • 350µs
  • 400 ns
  • 400 ps
  • 400ns
  • 400ps
  • 400µs
  • 450 ns
  • 450 ps
  • 450 µs
  • 450ns
  • 450ps
  • 500 ns
  • 500 ps
  • 500ns
  • 500µs
  • 550 ns
  • 550ns
  • 600µs
  • 600µs,25ns
  • 650 ms
  • 700 ns
  • 700 ps
  • 700ps
  • 700µs
  • 750µs
  • 800MHz
  • 800µs
  • 900 ns
  • 900ns
  • 3500 ns
  • SDRAM - Mobile LPDDR4
清除

*电压 - 电源

清除

工作温度

  • -
  • -10°C ~ 70°C(TA)
  • -20 to 70
  • -20°C ~ 70°C(TA)
  • -20°C ~ 75°C(TA)
  • -20°C ~ 85°C(TA)
  • -20°C ~ 125°C(TA)
  • -25°C ~ 85°C
  • -25°C ~ 85°C(TA)
  • -25°C ~ 85°C(TC)
  • -25°C ~ 85°C(TJ)
  • -30°C ~ 85°C
  • -30°C ~ 85°C(TA)
  • -30°C ~ 85°C(TC)
  • -30°C ~ 85°C(TJ)
  • -30°C ~ 105°C
  • -30°C ~ 105°C(TC)
  • -40°C ~ 85°C
  • -40°C ~ 85°C(TA)
  • -40°C ~ 85°C(TC)
  • -40°C ~ 85°C(TJ)
  • -40°C ~ 90°C(TA)
  • -40°C ~ 95°C
  • -40°C ~ 95°C(TA)
  • -40°C ~ 95°C(TC)
  • -40°C ~ 100°C(TJ)
  • -40°C ~ 105°C
  • -40°C ~ 105°C(TA)
  • -40°C ~ 105°C(TC)
  • -40°C ~ 115°C(TC)
  • -40°C ~ 125°C
  • -40°C ~ 125°C(TA)
  • -40°C ~ 125°C(TC)
  • -40°C ~ 145°C(TA)
  • -40°C ~ 150°C(TA)
  • -55°C ~ 85°C(TA)
  • -55°C ~ 125°C
  • -55°C ~ 125°C(TA)
  • -55°C ~ 125°C(TC)
  • -55°C ~ 225°C(TA)
  • 0 to 70
  • 0°C ~ 70°C
  • 0°C ~ 70°C(TA)
  • 0°C ~ 70°C(TC)
  • 0°C ~ 75°C(TA)
  • 0°C ~ 85°C(TA)
  • 0°C ~ 85°C(TC)
  • 0°C ~ 90°C(TC)
  • 0°C ~ 95°C(TA)
  • 0°C ~ 95°C(TC)
  • 0°C ~ 125°C(TA)
  • 1.1V
  • 1.2V
  • 1.7V ~ 1.95V
  • 1.14V ~ 1.95V
  • 2.7V ~ 3.6V
  • 4.5V ~ 5.5V
  • 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 48-TSOP
  • 52-VLGA
  • 63-VFBGA
  • 64-LBGA
  • 100-LBGA
  • 100-TBGA
  • 130-VFBGA
  • 153-TFBGA
  • 153-WFBGA
  • 169-TFBGA
  • 169-VFBGA
  • SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 垫板安装
  • 插口
  • 表面贴装型
  • 通孔
清除

安装类型

  • -
  • -25°C ~ 85°C(TA)
  • -30°C ~ 85°C(TC)
  • -30°C ~ 105°C(TC)
  • -40°C ~ 85°C(TA)
  • -40°C ~ 85°C(TC)
  • -40°C ~ 105°C(TA)
  • 0°C ~ 70°C(TA)
  • 0°C ~ 85°C(TA)
  • 0°C ~ 85°C(TC)
  • 0°C ~ 95°C(TC)
  • 1.2V
  • 1.14V ~ 1.95V
  • 4-UBGA,FCBGA
  • 4-UFBGA,WLBGA
  • 4-UFBGA,WLCSP
  • 4-XFBGA,WLCSP
  • 4.5V ~ 5.5V
  • 6-LSOJ(0.148",3.76mm 宽)
  • 6-UFBGA,CSPBGA
  • 6-VBGA,FCBGA
  • 6-XFBGA,CSPBGA
  • 6-XFBGA,WLCSP
  • 8-DIP(0.300",7.62mm)
  • 8-LSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 8-SMD,扁平引线
  • 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
  • 8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 8-TDFN
  • 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 8-TSSOP,8-MSOP(0.110",2.80mm 宽)
  • 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
  • 8-UDFN
  • 8-UDFN 裸露焊盘
  • 8-UFBGA,CSPBGA
  • 8-UFBGA,WLCSP
  • 8-UFDFN
  • 8-UFDFN 裸露焊盘
  • 8-VDFN
  • 8-VDFN 裸露焊盘
  • 8-VFBGA
  • 8-VFBGA,DSBGA
  • 8-VFDFN 裸露焊盘
  • 8-VFSOP(0.091",2.30mm 宽)
  • 8-VSSOP,8-MSOP(0.110",2.80mm 宽)
  • 8-WDFN 裸露焊盘
  • 8-WFDFN 裸露焊盘
  • 8-WLGA
  • 8-WSSOP,8-MSOP(0.110",2.80mm 宽)
  • 8-XDFN 裸露焊盘
  • 8-XFBGA,WLCSP
  • 8-XFDFN
  • 8-XFDFN 裸露焊盘
  • 9-UBGA
  • 10-XFBGA,WLCSP
  • 12-UFBGA,WLCSP
  • 12-XFBGA,WLCSP
  • 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 16-CFlatpack
  • 16-DIP
  • 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 16-UFBGA,WLCSP
  • 16-WQFN 裸露焊盘
  • 18-CDIP
  • 20-BSOJ(0.300",7.62mm 宽)
  • 20-CFlatpack
  • 20-DIP(0.300",7.62mm)
  • 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 22-CDIP(0.400",10.16mm)
  • 22-DIP(0.300",7.62mm)
  • 24-BSOJ(0.300",7.62mm 宽)
  • 24-CDIP(0.300",7.62mm)
  • 24-CDIP(0.600",15.24mm)
  • 24-CDIP(0.600",15.24mm)窗口
  • 24-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 24-DIP(0.300",7.62mm)
  • 24-DIP(0.600",15.24mm)
  • 24-LBGA
  • 24-LBGA,CSPBGA
  • 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 24-TBGA
  • 24-TBGA,CSPBGA
  • 24-VBGA
  • 28-BCPGA
  • 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽)
  • 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽)
  • 28-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
  • 28-CDIP(0.300",7.62mm)
  • 28-CDIP(0.300",7.62mm)窗口
  • 28-CDIP(0.600",15.24mm)
  • 28-CDIP(0.600",15.24mm)窗口
  • 28-CLCC
  • 28-DIP 模块(0.61",15.49mm)
  • 28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 28-DIP(0.300",7.62mm)
  • 28-DIP(0.600",15.24mm)
  • 28-LCC
  • 28-LCC(J 形引线)
  • 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 28-SOIC(0.300",7.62mm 宽)
  • 28-SOIC(0.330",8.38mm 宽)
  • 28-SOIC(0.330",8.40mm 宽)
  • 28-SOIC(0.342",8.69mm 宽)
  • 28-SOIC(0.345",8.77mm 宽)
  • 28-SOP
  • 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽)
  • 32-BSOJ(0.300",7.62mm 宽)
  • 32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
  • 32-CDIP(0.300",7.62mm)
  • 32-CDIP(0.600",15.24mm)
  • 32-CDIP(0.600",15.24mm)窗口
  • 32-CDIP(0.685",17.40mm)窗口
  • 32-CFlatpack
  • 32-CLCC
  • 32-DIP 模块(0.61",15.49mm)
  • 32-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 32-DIP(0.600",15.24mm)
  • 32-LCC(J 形引线)
  • 32-LFSOP(0.465",11.80mm 宽)
  • 32-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 32-SOIC(0.400",10.16mm 宽)
  • 32-SOIC(0.450",11.40mm 宽)
  • 32-SOIC(0.455",11.30mm 宽)
  • 32-TFSOP(0.465",11.80mm 宽)
  • 32-TFSOP(0.488",12.40mm 宽)
  • 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 34-LPM
  • 34-PowerCap™ 模块
  • 34-WFBGA
  • 36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
  • 36-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 36-DIP 模块(0.610",15.49mm)
  • 36-TFBGA
  • 40-CDIP(0.600",15.24mm)窗口
  • 40-DIP 模块(0.610",15.495mm)
  • 40-DIP(0.600",15.24mm)
  • 40-TFSOP(0.488",12.40mm 宽)
  • 40-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 42-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
  • 42-DIP(0.600",15.24mm)
  • 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
  • 44-CLCC
  • 44-LCC(J 形引线)
  • 44-LQFP
  • 44-SOIC(0.496",12.60mm 宽)
  • 44-SOIC(0.525",13.34mm 宽)
  • 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 45-TFBGA,CSBGA
  • 46-TFBGA
  • 46-TFBGA,CSPBGA
  • 46-VFBGA
  • 47-VFBGA,CSBGA
  • 48-BGA
  • 48-BSSOP(0.295",7.50mm 宽)
  • 48-DIP(0.600",15.24mm)
  • 48-LCC
  • 48-LFBGA
  • 48-LFBGA,CSPBGA
  • 48-TFBGA
  • 48-TFBGA,CSPBGA
  • 48-TFSOP(0.488",12.40mm 宽)
  • 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 48-TSOP
  • 48-TSOP I
  • 48-UFLGA
  • 48-VFBGA
  • 48-VFBGA, CSPBGA
  • 48-VFBGA,CSBGA
  • 48-WFBGA
  • 48-扁平封装
  • 50-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 52-BQFP
  • 52-LCC(J 形引线)
  • 52-QFP
  • 52-TFSOP(0.350",8.89mm 宽)
  • 52-VLGA
  • 52-VLGA(18x14)
  • 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 54-VFBGA
  • 56-SOP
  • 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 56-VFBGA
  • 60-TFBGA
  • 60-VFBGA
  • 63-TFBGA
  • 63-VFBGA
  • 63-VFBGA(9x11)
  • 63-VFBGA(10.5x13)
  • 64-FBGA
  • 64-FBGA(13x11)
  • 64-LBGA
  • 64-LQFP
  • 64-TBGA
  • 64-VFBGA
  • 66-TSSOP (szerokość 0,400",10,16mm)
  • 67-VFBGA
  • 68-BPGA
  • 68-LCC(J 形引线)
  • 68-扁平封装
  • 72-SIMM
  • 78-TFBGA
  • 78-VFBGA
  • 80-LQFP
  • 80-SIMM
  • 80-VFBGA
  • 81-TFBGA
  • 84-BPGA
  • 84-LCC(J 形引线)
  • 84-TFBGA
  • 84-扁平封装
  • 86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 96-LFBGA
  • 96-TFBGA
  • 96-VFBGA
  • 100-BGA
  • 100-LBGA
  • 100-LBGA(14x18)
  • 100-LQFP
  • 100-TBGA
  • 100-TBGA(14x18)
  • 100-TFBGA
  • 100-TQFP
  • 100-VBGA
  • 100-VFBGA
  • 107-TFBGA
  • 108-BPGA
  • 119-BGA
  • 120-LQFP
  • 121-WFBGA
  • 126-TFBGA
  • 128-LQFP
  • 130-VFBGA
  • 130-VFBGA(8x9)
  • 132-BQFP 缓冲式
  • 132-LBGA
  • 132-TBGA
  • 132-VBGA
  • 134-VFBGA
  • 134-WFBGA
  • 137-TFBGA
  • 137-VFBGA
  • 144-LBGA
  • 144-LFBGA
  • 144-TBGA
  • 149-WFBGA
  • 152-LBGA
  • 152-TBGA
  • 152-VBGA
  • 153-FBGA
  • 153-LFBGA
  • 153-TFBGA
  • 153-TFBGA(11.5x13)
  • 153-VFBGA
  • 153-WFBGA
  • 153-WFBGA(11.5x13)
  • 162-VFBGA
  • 165-LBGA
  • 165-TBGA
  • 168-VFBGA
  • 168-WFBGA
  • 169-LFBGA
  • 169-TFBGA
  • 169-TFBGA(14x18)
  • 169-VFBGA
  • 169-VFBGA(14x18)
  • 170-TFBGA
  • 172-LFBGA
  • 176-LQFP
  • 180-TFBGA
  • 200-TFBGA
  • 200-VFBGA
  • 200-WFBGA
  • 208-BFQFP
  • 208-LFBGA
  • 216-WFBGA
  • 240-WFBGA
  • 241-BGA
  • 253-VFBGA
  • 256-LBGA
  • 256-WFBGA
  • 260-BGA
  • 272-BGA
  • 272-LFBGA
  • 272-VFBGA
  • 272-WFBGA
  • 361-BBGA,FCBGA
  • 366-VFBGA
  • 366-WFBGA
  • 376-WFBGA
  • 432-VFBGA
  • 484-FBGA
  • 556-VFBGA
  • 556-WFBGA
  • SC-74A,SOT-753
  • SDRAM - Mobile LPDDR4
  • SOT-23-5 细型,TSOT-23-5
  • SOT-23-6
  • SOT-23-8
  • TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 垫板安装
  • 模具
  • 表面贴装
  • 表面贴装型
  • 表面贴装,可润湿侧翼
  • 通孔
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清除筛选 应用筛选 筛选结果: 55515
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: S29JL032J70BHI320
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
类别: 存储器
5存储器类型5:非易失
1存储器格式1:闪存
2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16)
3存储器接口3:70ns
4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
6工作温度6:-40°C ~ 85°C(TA)
外壳:48-VFBGA
封装:48-FBGA(8.15x6.15)
料号:C1-1
包装: 1690个/ 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S29JL032J70BHI320' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29JL032J70BHI320' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29JL032J70BHI320' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29JL032J70BHI320' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: S29GL128S10TFI020
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
类别: 存储器
5存储器类型5:非易失
1存储器格式1:闪存
2存储容量2:128Mb (8M x 16)
3存储器接口3:100ns
4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
6工作温度6:-40°C ~ 85°C(TA)
外壳:56-TFSOP(18.40mm 宽)
封装:56-TSOP
料号:C1-2
包装: 91个/ 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S29GL128S10TFI020' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29GL128S10TFI020' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29GL128S10TFI020' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29GL128S10TFI020' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: S29JL032J70TFA020
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
类别: 存储器
5存储器类型5:非易失
1存储器格式1:闪存
2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16)
3存储器接口3:70ns
4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
6工作温度6:-40°C ~ 85°C(TA)
外壳:48-TFSOP(18.40mm 宽)
封装:48-TSOP
料号:C1-4
包装: 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S29JL032J70TFA020' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29JL032J70TFA020' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29JL032J70TFA020' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S29JL032J70TFA020' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: S34ML01G100TFA003
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4:
类别: 存储器
5存储器类型5:
1存储器格式1:
2存储容量2:
3存储器接口3:
4电压-电源4:
6工作温度6:
外壳:
封装:
料号:C1-5
包装: 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S34ML01G100TFA003' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S34ML01G100TFA003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S34ML01G100TFA003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S34ML01G100TFA003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: S34ML01G100TFB003
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4:
类别: 存储器
5存储器类型5:
1存储器格式1:
2存储容量2:
3存储器接口3:
4电压-电源4:
6工作温度6:
外壳:
封装:
料号:C1-6
包装: 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S34ML01G100TFB003' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S34ML01G100TFB003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S34ML01G100TFB003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S34ML01G100TFB003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: S34ML01G200TFA003
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4:
类别: 存储器
5存储器类型5:
1存储器格式1:
2存储容量2:
3存储器接口3:
4电压-电源4:
6工作温度6:
外壳:
封装:
料号:C1-7
包装: 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S34ML01G200TFA003' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S34ML01G200TFA003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S34ML01G200TFA003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S34ML01G200TFA003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: S34ML01G200TFB003
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4:
类别: 存储器
5存储器类型5:
1存储器格式1:
2存储容量2:
3存储器接口3:
4电压-电源4:
6工作温度6:
外壳:
封装:
料号:C1-8
包装: 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S34ML01G200TFB003' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S34ML01G200TFB003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S34ML01G200TFB003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S34ML01G200TFB003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: AS4C32M16D1-5BCNTR
品牌: Alliance Memory, Inc. Alliance 联盟记忆
描述: IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:SDRAM - DDR *2存储容量2:512Mb (32M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *4电压-电源4:2.3V ~ 2.7V
类别: 存储器
5存储器类型5:易失
1存储器格式1:DRAM
2存储容量2:512Mb (32M x 16)
3存储器接口3:700ps
4电压-电源4:2.3V ~ 2.7V
6工作温度6:0°C ~ 70°C(TA)
外壳:60-TFBGA
封装:60-BGA
料号:C1-9
包装: 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AS4C32M16D1-5BCNTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alliance Memory, Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C32M16D1-5BCNTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C32M16D1-5BCNTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS4C32M16D1-5BCNTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 71V016SA10BF
品牌: Renesas(IDT)/瑞萨 IDT, Integrated Device Technology Inc (艾迪特)->瑞萨
描述: IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:SDRAM - DDR *2存储容量2:512Mb (32M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *4电压-电源4:2.3V ~ 2.7V 制造商统称:未设定 制造商统称:IDT, Integrated Device Technology Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:1Mb (64K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *4电压-电源4:3.15V ~ 3.6V
类别: 存储器
5存储器类型5:易失
1存储器格式1:SRAM
2存储容量2:1Mb (64K x 16)
3存储器接口3:10ns
4电压-电源4:3.15V ~ 3.6V
6工作温度6:0°C ~ 70°C(TA)
外壳:48-LFBGA
封装:48-CABGA(7x7)
料号:C1-10
包装: 476个/ 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '71V016SA10BF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas(IDT)/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '71V016SA10BF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '71V016SA10BF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '71V016SA10BF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: AS6C2016-55ZIN
品牌: Alliance Memory, Inc. Alliance 联盟记忆
描述: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:SDRAM - DDR *2存储容量2:512Mb (32M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *4电压-电源4:2.3V ~ 2.7V 制造商统称:未设定 制造商统称:IDT, Integrated Device Technology Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:1Mb (64K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *4电压-电源4:3.15V ~ 3.6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:2Mb(128K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *4电压-电源4:2.7V ~ 5.5V
类别: 存储器
5存储器类型5:易失
1存储器格式1:SRAM
2存储容量2:2Mb(128K x 16)
3存储器接口3:并联
4电压-电源4:2.7V ~ 5.5V
6工作温度6:-40°C ~ 85°C(TA)
外壳:44-TSOP(10.16mm 宽)
封装:44-TSOP II
料号:C1-11
包装: 135个/ 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AS6C2016-55ZIN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Alliance Memory, Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C2016-55ZIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C2016-55ZIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AS6C2016-55ZIN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: S25FS256SAGMFI003
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:SDRAM - DDR *2存储容量2:512Mb (32M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *4电压-电源4:2.3V ~ 2.7V 制造商统称:未设定 制造商统称:IDT, Integrated Device Technology Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:1Mb (64K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *4电压-电源4:3.15V ~ 3.6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:2Mb(128K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *4电压-电源4:2.7V ~ 5.5V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V
类别: 存储器
5存储器类型5:非易失
1存储器格式1:闪存
2存储容量2:256Mb (32M x 8)
3存储器接口3:-
4电压-电源4:1.7V ~ 2V
6工作温度6:-40°C ~ 85°C(TA)
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:C1-12
包装: 1450个/ 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S25FS256SAGMFI003' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FS256SAGMFI003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FS256SAGMFI003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FS256SAGMFI003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: S25FS256SDSMFI003
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 256M SPI 80MHZ 16SOIC
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:SDRAM - DDR *2存储容量2:512Mb (32M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *4电压-电源4:2.3V ~ 2.7V 制造商统称:未设定 制造商统称:IDT, Integrated Device Technology Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:1Mb (64K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *4电压-电源4:3.15V ~ 3.6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:2Mb(128K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *4电压-电源4:2.7V ~ 5.5V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V
类别: 存储器
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1存储器格式1:闪存
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3存储器接口3:-
4电压-电源4:1.7V ~ 2V
6工作温度6:-40°C ~ 85°C(TA)
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:C1-13
包装: 1450个/ 标准卷带
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: S25FL256SAGMFI013
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:SDRAM - DDR *2存储容量2:512Mb (32M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *4电压-电源4:2.3V ~ 2.7V 制造商统称:未设定 制造商统称:IDT, Integrated Device Technology Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:1Mb (64K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *4电压-电源4:3.15V ~ 3.6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:2Mb(128K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *4电压-电源4:2.7V ~ 5.5V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
类别: 存储器
5存储器类型5:非易失
1存储器格式1:闪存
2存储容量2:256Mb (32M x 8)
3存储器接口3:-
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6工作温度6:-40°C ~ 85°C(TA)
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:C1-14
包装: 标准卷带
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SAGMFI013' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SAGMFI013' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SAGMFI013' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: S25FL256SAGMFIG03
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:SDRAM - DDR *2存储容量2:512Mb (32M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *4电压-电源4:2.3V ~ 2.7V 制造商统称:未设定 制造商统称:IDT, Integrated Device Technology Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:1Mb (64K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *4电压-电源4:3.15V ~ 3.6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:2Mb(128K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *4电压-电源4:2.7V ~ 5.5V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
类别: 存储器
5存储器类型5:非易失
1存储器格式1:闪存
2存储容量2:256Mb (32M x 8)
3存储器接口3:-
4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
6工作温度6:-40°C ~ 85°C(TA)
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:C1-15
包装: 1450个/
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S25FL256SAGMFIG03' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SAGMFIG03' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SAGMFIG03' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: S25FL256SAGMFIG13
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:SDRAM - DDR *2存储容量2:512Mb (32M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *4电压-电源4:2.3V ~ 2.7V 制造商统称:未设定 制造商统称:IDT, Integrated Device Technology Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:1Mb (64K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *4电压-电源4:3.15V ~ 3.6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:2Mb(128K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *4电压-电源4:2.7V ~ 5.5V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
类别: 存储器
5存储器类型5:非易失
1存储器格式1:闪存
2存储容量2:256Mb (32M x 8)
3存储器接口3:-
4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
6工作温度6:-40°C ~ 85°C(TA)
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:C1-16
包装: 1450个/ 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S25FL256SAGMFIG13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: S25FL256SAGMFIR03
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:SDRAM - DDR *2存储容量2:512Mb (32M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *4电压-电源4:2.3V ~ 2.7V 制造商统称:未设定 制造商统称:IDT, Integrated Device Technology Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:1Mb (64K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *4电压-电源4:3.15V ~ 3.6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:2Mb(128K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *4电压-电源4:2.7V ~ 5.5V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb(32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
类别: 存储器
5存储器类型5:非易失
1存储器格式1:闪存
2存储容量2:256Mb(32M x 8)
3存储器接口3:SPI - 四 I/O
4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
6工作温度6:-40°C ~ 85°C(TA)
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:C1-17
包装: 1450个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S25FL256SAGMFIR03' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SAGMFIR03' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SAGMFIR03' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SAGMFIR03' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: S25FL256SAGMFIR13
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:SDRAM - DDR *2存储容量2:512Mb (32M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *4电压-电源4:2.3V ~ 2.7V 制造商统称:未设定 制造商统称:IDT, Integrated Device Technology Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:1Mb (64K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *4电压-电源4:3.15V ~ 3.6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:2Mb(128K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *4电压-电源4:2.7V ~ 5.5V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb(32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
类别: 存储器
5存储器类型5:非易失
1存储器格式1:闪存
2存储容量2:256Mb (32M x 8)
3存储器接口3:-
4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
6工作温度6:-40°C ~ 85°C(TA)
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:C1-18
包装: 1450个/ 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S25FL256SAGMFIR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SAGMFIR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: S25FL256SDPMFIG03
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 256M SPI 66MHZ 16SOIC
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:SDRAM - DDR *2存储容量2:512Mb (32M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *4电压-电源4:2.3V ~ 2.7V 制造商统称:未设定 制造商统称:IDT, Integrated Device Technology Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:1Mb (64K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *4电压-电源4:3.15V ~ 3.6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:2Mb(128K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *4电压-电源4:2.7V ~ 5.5V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb(32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
类别: 存储器
5存储器类型5:非易失
1存储器格式1:闪存
2存储容量2:256Mb (32M x 8)
3存储器接口3:-
4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
6工作温度6:-40°C ~ 85°C(TA)
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:C1-19
包装: 1450个/ 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S25FL256SDPMFIG03' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SDPMFIG03' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SDPMFIG03' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SDPMFIG03' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: S25FL256SDPMFIG13
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 256M SPI 66MHZ 16SOIC
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:SDRAM - DDR *2存储容量2:512Mb (32M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *4电压-电源4:2.3V ~ 2.7V 制造商统称:未设定 制造商统称:IDT, Integrated Device Technology Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:1Mb (64K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *4电压-电源4:3.15V ~ 3.6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:2Mb(128K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *4电压-电源4:2.7V ~ 5.5V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb(32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
类别: 存储器
5存储器类型5:非易失
1存储器格式1:闪存
2存储容量2:256Mb (32M x 8)
3存储器接口3:-
4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
6工作温度6:-40°C ~ 85°C(TA)
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:C1-20
包装: 1450个/ 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S25FL256SDPMFIG13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SDPMFIG13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SDPMFIG13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SDPMFIG13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: S25FL256SDSMFI003
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC FLASH 256M SPI 80MHZ 16SOIC
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:128Mb (8M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5: *1存储器格式1: 技术: *2存储容量2: 存储器组织: *3存储器接口3: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *4电压-电源4: 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:SDRAM - DDR *2存储容量2:512Mb (32M x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *4电压-电源4:2.3V ~ 2.7V 制造商统称:未设定 制造商统称:IDT, Integrated Device Technology Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:1Mb (64K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *4电压-电源4:3.15V ~ 3.6V 制造商统称:未设定 制造商统称:Alliance Memory, Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 异步 *2存储容量2:2Mb(128K x 16) 存储器组织: *3存储器接口3:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *4电压-电源4:2.7V ~ 5.5V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *4电压-电源4:1.7V ~ 2V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb(32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Cypress Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:FLASH - NOR *2存储容量2:256Mb (32M x 8) 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
类别: 存储器
5存储器类型5:非易失
1存储器格式1:闪存
2存储容量2:256Mb (32M x 8)
3存储器接口3:-
4电压-电源4:2.7V ~ 3.6V
6工作温度6:-40°C ~ 85°C(TA)
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:C1-21
包装: 1450个/ 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S25FL256SDSMFI003' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SDSMFI003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SDSMFI003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S25FL256SDSMFI003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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