首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路整流二极管(肖特基)
元器件型号：41140 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 1N4148TR
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 10mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 75V
8工作温度-结8：-65°C ~ 17
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E3-1
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4148TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态：
型号： LL4148
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 10mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：25nA @ 20V
8工作温度-结8：-55°C ~ 17
外壳：DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
封装：SOD-80
料号：E3-2
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1N4007-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：2µs
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 1000V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-41
料号：E3-3
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4007-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4007-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4007-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4007-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态：
型号： DA2J10100L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：100mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1.2V @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：3ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：100nA @ 75V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：SC-90，SOD-323F
封装：SMINI2-F5-B
料号：E3-4
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DA2J10100L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DA2J10100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DA2J10100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DA2J10100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DA2S10100L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE GEN PURP 80V 100MA SSMINI2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：100mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1.2V @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：3ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：100nA @ 75V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SSMINI2-F5-B
料号：E3-5
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DA2S10100L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DA2S10100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DA2S10100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DA2S10100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1N4004-T
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 400V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-41
料号：E3-6
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4004-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4004-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4004-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4004-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBD914LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 10mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 75V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E3-7
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBD914LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD914LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD914LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD914LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BAS16LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 150mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：6ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：1µA @ 100V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E3-8
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1N4148X-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD523
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：150mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 150mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：1µA @ 75V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E3-9
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4148X-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148X-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148X-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148X-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBD914-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 150mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：1µA @ 75V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E3-10
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBD914-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DB2J31400L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SMINI2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:300nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：30mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 30mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：1ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：300nA @ 30V
8工作温度-结8：125°C（最大）
外壳：SC-90，SOD-323F
封装：SMINI2-F5-B
料号：E3-11
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DB2J31400L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB2J31400L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB2J31400L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB2J31400L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BAS16-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:300nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 150mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：1µA @ 75V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E3-12
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS16-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： BAS16,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE GP 100V 215MA TO236AB
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:300nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：215mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 150mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：500nA @ 80V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E3-13
包装： 3000个/ 盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS16,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BAS16,235
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE GP 100V 215MA TO236AB
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:300nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：215mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 150mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：500nA @ 80V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E3-14
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS16,235' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 热销
型号： 1N4148W-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:300nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：150mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 150mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：1µA @ 75V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E3-15
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4148W-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148W-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148W-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148W-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 热销
型号： 1N4148WX-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:300nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：150mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 50mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 75V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E3-16
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4148WX-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148WX-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148WX-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148WX-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N4007-T
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:300nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 1000V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-41
料号：E3-17
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4007-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4007-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4007-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4007-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N914BWS
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:300nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：150mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 75V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：SC-90，SOD-323F
封装：SOD-323F
料号：E3-18
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N914BWS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N914BWS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N914BWS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N914BWS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DA2710100L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE GP 80V 100MA SSSMINI2-F4-B
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:300nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：100mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1.2V @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：3ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：100nA @ 75V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：SSS迷你型2-F4-B
料号：E3-19
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DA2710100L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态：
型号： BAT54
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 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*7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:3ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA
7不同if时电压-正向(vf)7：800mV @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：5ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：2µA @ 25V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E3-20
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAT54' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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