元器件型号:2017
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制造商封装

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igbt 类型

配置

电压 - 集射极击穿(最大值)

电流 - 集电极(ic)(最大值)

功率 - 最大值

不同?vge,ic 时的?vce(on)

电流 - 集电极截止(最大值)

不同?vce 时的输入电容(cies)

输入

ntc 热敏电阻

工作温度

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清除筛选 应用筛选 筛选结果: 2017

IXXN110N65B4H1

型号: IXXN110N65B4H1

品牌: IXYS

封装:SOT-227-4,MINIBLOC

描述:IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装

库存: 咨询

货期:

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批次:

SPQ:

10:202.3800
750:193.9475
1500:180.4555
3000:178.7690

IXDN75N120

型号: IXDN75N120

品牌: IXYS

封装:SOT-227-4,MINIBLOC

描述:IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装

库存: 咨询

货期:

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批次:

SPQ:

10:234.4440
750:224.6755
1500:209.0459
3000:207.0922

APT75GP120JDQ3

型号: APT75GP120JDQ3

品牌: Microsemi Corporation

封装:ISOTOP

描述:IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装

库存: 咨询

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批次:

SPQ:

10:335.6280
750:321.6435
1500:299.2683
3000:296.4714

APT100GT120JRDQ4

型号: APT100GT120JRDQ4

品牌: Microsemi Corporation

封装:ISOTOP

描述:IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装

库存: 咨询

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SPQ:

10:394.9800
750:378.5225
1500:352.1905
3000:348.8990

APTGT600A60G

型号: APTGT600A60G

品牌: Microsemi Corporation

封装:SP6

描述:IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装

库存: 咨询

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SPQ:

10:1.2000
750:1.1500
1500:1.0700
3000:1.0600

APTGT600U170D4G

型号: APTGT600U170D4G

品牌: Microsemi Corporation

封装:D4

描述:IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装

库存: 咨询

货期:

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批次:

SPQ:

10:2.4000
750:2.3000
1500:2.1400
3000:2.1200

APTGL475A120D3G

型号: APTGL475A120D3G

品牌: Microsemi Corporation

封装:D-3 模块

描述:IGBT MODULE 1200V 610A 2080W D3

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装

库存: 咨询

货期:

包装:

批次:

SPQ:

10:2.4000
750:2.3000
1500:2.1400
3000:2.1200

STGE200NB60S

型号: STGE200NB60S

品牌: STMicroelectronics

封装:ISOTOP

描述:IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装

库存: 咨询

货期:

包装:

批次:

SPQ:

10:249.0960
750:238.7170
1500:222.1106
3000:220.0348

IXYN82N120C3H1

型号: IXYN82N120C3H1

品牌: IXYS

封装:SOT-227-4,MINIBLOC

描述:IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装

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SPQ:

10:337.9320
750:323.8515
1500:301.3227
3000:298.5066

MG06150S-BN4MM

型号: MG06150S-BN4MM

品牌: Littelfuse Inc.

封装:S-3 模块

描述:IGBT MODULE 600V 150A 500W S3

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装

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10:686.3280
750:657.7310
1500:611.9758
3000:606.2564

APTGF75H120TG

型号: APTGF75H120TG

品牌: Microsemi Corporation

封装:SP4

描述:IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装

库存: 咨询

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APTGL475U120DAG

型号: APTGL475U120DAG

品牌: Microsemi Corporation

封装:SP6

描述:IGBT MODULE 1200V 610A 2307W SP6

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装

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10:1.2000
750:1.1500
1500:1.0700
3000:1.0600

MG12450WB-BN2MM

型号: MG12450WB-BN2MM

品牌: Littelfuse Inc.

封装:模块

描述:IGBT MODULE 1200V 600A 1950W WB

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装

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10:1.2000
750:1.1500
1500:1.0700
3000:1.0600

APT200GN60J

型号: APT200GN60J

品牌: Microsemi Corporation

封装:ISOTOP

描述:IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装

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10:237.7680
750:227.8610
1500:212.0098
3000:210.0284

APT75GP120J

型号: APT75GP120J

品牌: Microsemi Corporation

封装:ISOTOP

描述:IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装

库存: 咨询

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10:312.2280
750:299.2185
1500:278.4033
3000:275.8014

APT100GT120JU2

型号: APT100GT120JU2

品牌: Microsemi Corporation

封装:ISOTOP

描述:IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装

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10:266.5200
750:255.4150
1500:237.6470
3000:235.4260

APTGT50X60T3G

型号: APTGT50X60T3G

品牌: Microsemi Corporation

封装:SP3

描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装

库存: 咨询

货期:

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SPQ:

10:657.0720
750:629.6940
1500:585.8892
3000:580.4136

APTGFQ25H120T2G

型号: APTGFQ25H120T2G

品牌: Microsemi Corporation

封装:SP2

描述:IGBT 1200V 40A 227W MODULE

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔

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SPQ:

10:89.2080
750:85.4910
1500:79.5438
3000:78.8004

VS-GA250SA60S

型号: VS-GA250SA60S

品牌: Vishay

封装:SOT-227-4

描述:IGBT MOD 600V 400A 961W SOT227

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:961W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.66V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):16.25nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装

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批次:

SPQ:

APT60GF120JRDQ3

型号: APT60GF120JRDQ3

品牌: Microsemi Corporation

封装:ISOTOP

描述:IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP

参数:igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:961W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.66V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):16.25nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):149A *功率 - 最大值:625W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.08nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装

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