元器件型号:3308
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2SK209-BL(TE85L,F)

型号: 2SK209-BL(TE85L,F)

品牌: Toshiba Semiconductor

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:JFET N-CH SOT23

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BF862,215

型号: BF862,215

品牌: Nexperia USA Inc.

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:JFET N-CH 20V 25MA SOT23

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BF862,235

型号: BF862,235

品牌: Nexperia USA Inc.

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:JFET N-CH 20V 25MA SOT23

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ATF-55143-TR1G

型号: ATF-55143-TR1G

品牌: Broadcom Limited

封装:SC-82A,SOT-343

描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343

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ATF-35143-TR1G

型号: ATF-35143-TR1G

品牌: Broadcom Limited

封装:SC-82A,SOT-343

描述:FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343

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ATF-58143-TR1G

型号: ATF-58143-TR1G

品牌: Broadcom Limited

封装:SC-82A,SOT-343

描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343

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PD84001

型号: PD84001

品牌: STMicroelectronics

封装:TO-243AA

描述:FET RF 18V 870MHZ

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PD85004

型号: PD85004

品牌: STMicroelectronics

封装:TO-243AA

描述:FET RF 40V 870MHZ

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ATF-54143-TR1G

型号: ATF-54143-TR1G

品牌: Broadcom Limited

封装:SC-82A,SOT-343

描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343

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ATF-531P8-TR1

型号: ATF-531P8-TR1

品牌: Broadcom Limited

封装:8-WFDFN 裸露焊盘

描述:FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC

参数:晶体管类型:N 通道 JFET *频率:1kHz *增益:- *电压 - 测试:10V *额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET *频率:- *增益:- *电压 - 测试:- *额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:- *电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET *频率:- *增益:- *电压 - 测试:- *额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:- *电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT *频率:2GHz *增益:17.7dB *电压 - 测试:2.7V *额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:14.4dBm *电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:18dB *电压 - 测试:2V *额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:10dBm *电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:16.5dB *电压 - 测试:3V *额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *功率 - 输出:19dBm *电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:15dB *电压 - 测试:7.5V *额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:30dBm *电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:17dB *电压 - 测试:13.6V *额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:4W *电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:16.6dB *电压 - 测试:3V *额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *功率 - 输出:20.4dBm *电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT *频率:2GHz *增益:20dB *电压 - 测试:4V *额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *功率 - 输出:24.5dBm *电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量:

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MW6S004NT1

型号: MW6S004NT1

品牌: Freescale Semiconductor - NXP

封装:PLD-1.5

描述:FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5

参数:晶体管类型:N 通道 JFET *频率:1kHz *增益:- *电压 - 测试:10V *额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET *频率:- *增益:- *电压 - 测试:- *额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:- *电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET *频率:- *增益:- *电压 - 测试:- *额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:- *电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT *频率:2GHz *增益:17.7dB *电压 - 测试:2.7V *额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:14.4dBm *电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:18dB *电压 - 测试:2V *额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:10dBm *电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:16.5dB *电压 - 测试:3V *额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *功率 - 输出:19dBm *电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:15dB *电压 - 测试:7.5V *额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:30dBm *电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:17dB *电压 - 测试:13.6V *额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:4W *电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:16.6dB *电压 - 测试:3V *额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *功率 - 输出:20.4dBm *电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT *频率:2GHz *增益:20dB *电压 - 测试:4V *额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *功率 - 输出:24.5dBm *电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:1.96GHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:4W *电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量:

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BLP7G22-10Z

型号: BLP7G22-10Z

品牌: Ampleon USA Inc.

封装:12-VDFN 裸露焊盘

描述:RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN

参数:晶体管类型:N 通道 JFET *频率:1kHz *增益:- *电压 - 测试:10V *额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET *频率:- *增益:- *电压 - 测试:- *额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:- *电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET *频率:- *增益:- *电压 - 测试:- *额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:- *电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT *频率:2GHz *增益:17.7dB *电压 - 测试:2.7V *额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:14.4dBm *电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:18dB *电压 - 测试:2V *额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:10dBm *电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:16.5dB *电压 - 测试:3V *额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *功率 - 输出:19dBm *电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:15dB *电压 - 测试:7.5V *额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:30dBm *电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:17dB *电压 - 测试:13.6V *额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:4W *电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:16.6dB *电压 - 测试:3V *额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *功率 - 输出:20.4dBm *电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT *频率:2GHz *增益:20dB *电压 - 测试:4V *额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *功率 - 输出:24.5dBm *电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:1.96GHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:4W *电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 *频率:2.14GHz *增益:16dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *功率 - 输出:2W *电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量:

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MW6S010GNR1

型号: MW6S010GNR1

品牌: Freescale Semiconductor - NXP

封装:TO-270-2 鸥翼型

描述:RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL

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MW6S010NR1

型号: MW6S010NR1

品牌: Freescale Semiconductor - NXP

封装:TO-270AA

描述:FET RF 68V 960MHZ TO270-2

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PD55003-E

型号: PD55003-E

品牌: STMicroelectronics

封装:POWERSO-10 裸露底部焊盘

描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10

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PD57006-E

型号: PD57006-E

品牌: STMicroelectronics

封装:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)

描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

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MRFE6S9045NR1

型号: MRFE6S9045NR1

品牌: Freescale Semiconductor - NXP

封装:TO-270AA

描述:FET RF 66V 880MHZ TO-270-2

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PD20015-E

型号: PD20015-E

品牌: STMicroelectronics

封装:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)

描述:TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF

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CGH40006S

型号: CGH40006S

品牌: Cree/Wolfspeed

封装:6-VDFN 裸露焊盘

描述:RF MOSFET HEMT 28V 6QFN

参数:晶体管类型:N 通道 JFET *频率:1kHz *增益:- *电压 - 测试:10V *额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET *频率:- *增益:- *电压 - 测试:- *额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:- *电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET *频率:- *增益:- *电压 - 测试:- *额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:- *电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT *频率:2GHz *增益:17.7dB *电压 - 测试:2.7V *额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:14.4dBm *电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:18dB *电压 - 测试:2V *额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:10dBm *电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:16.5dB *电压 - 测试:3V *额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *功率 - 输出:19dBm *电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:15dB *电压 - 测试:7.5V *额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:30dBm *电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:17dB *电压 - 测试:13.6V *额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:4W *电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:16.6dB *电压 - 测试:3V *额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *功率 - 输出:20.4dBm *电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT *频率:2GHz *增益:20dB *电压 - 测试:4V *额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *功率 - 输出:24.5dBm *电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:1.96GHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:4W *电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 *频率:2.14GHz *增益:16dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *功率 - 输出:2W *电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:960MHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *功率 - 输出:10W *电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:960MHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *功率 - 输出:10W *电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:500MHz *增益:17dB *电压 - 测试:12.5V *额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:3W *电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:945MHz *增益:15dB *电压 - 测试:28V *额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *功率 - 输出:6W *电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:880MHz *增益:22.1dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *功率 - 输出:10W *电压 - 额定:66V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:2GHz *增益:11dB *电压 - 测试:13.6V *额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *功率 - 输出:15W *电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HEMT *频率:0Hz ~ 6GHz *增益:12dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:8W *电压 - 额定:84V 标签: 包装: 数量:

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MRFE6S9060NR1

型号: MRFE6S9060NR1

品牌: Freescale Semiconductor - NXP

封装:TO-270AA

描述:FET RF 66V 880MHZ TO270-2

参数:晶体管类型:N 通道 JFET *频率:1kHz *增益:- *电压 - 测试:10V *额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET *频率:- *增益:- *电压 - 测试:- *额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:- *电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET *频率:- *增益:- *电压 - 测试:- *额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:- *电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT *频率:2GHz *增益:17.7dB *电压 - 测试:2.7V *额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:14.4dBm *电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:18dB *电压 - 测试:2V *额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:10dBm *电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:16.5dB *电压 - 测试:3V *额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *功率 - 输出:19dBm *电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:15dB *电压 - 测试:7.5V *额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:30dBm *电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:17dB *电压 - 测试:13.6V *额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:4W *电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:16.6dB *电压 - 测试:3V *额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *功率 - 输出:20.4dBm *电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT *频率:2GHz *增益:20dB *电压 - 测试:4V *额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *功率 - 输出:24.5dBm *电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:1.96GHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:4W *电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 *频率:2.14GHz *增益:16dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *功率 - 输出:2W *电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:960MHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *功率 - 输出:10W *电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:960MHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *功率 - 输出:10W *电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:500MHz *增益:17dB *电压 - 测试:12.5V *额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:3W *电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:945MHz *增益:15dB *电压 - 测试:28V *额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *功率 - 输出:6W *电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:880MHz *增益:22.1dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *功率 - 输出:10W *电压 - 额定:66V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:2GHz *增益:11dB *电压 - 测试:13.6V *额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *功率 - 输出:15W *电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HEMT *频率:0Hz ~ 6GHz *增益:12dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:8W *电压 - 额定:84V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:880MHz *增益:21.1dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *功率 - 输出:14W *电压 - 额定:66V 标签: 包装: 数量:

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