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元器件型号：5427 件
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*漏源极电压（vdss）

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不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： STS4DNF60L
品牌： STMicroelectronics ST 意法半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：4A
功率 - 最大值：2W
外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
封装：8-SO
料号：JTG10-1
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STS4DNF60L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'STMicroelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS4DNF60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS4DNF60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS4DNF60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： STL8DN10LF3
品牌： STMicroelectronics ST 意法半导体
描述： MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极（id）：20A
功率 - 最大值：70W
外壳：8-POWERVDFN
封装：POWERFLAT™（5X6）
料号：JTG10-2
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STL8DN10LF3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'STMicroelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL8DN10LF3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL8DN10LF3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL8DN10LF3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： STL15DN4F5
品牌： STMicroelectronics ST 意法半导体
描述： MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极（id）：60A
功率 - 最大值：60W
外壳：8-POWERVDFN
封装：POWERFLAT™（5X6）
料号：JTG10-3
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STL15DN4F5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'STMicroelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL15DN4F5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL15DN4F5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL15DN4F5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FG6943010R
品牌： Panasonic Electronic Components Panasonic 松下电子元件
描述： MOSFET N/P-CH 30V 0.1A SSMINI6
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：100mA
功率 - 最大值：-
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SSMINI6-F3-B
料号：JTG10-4
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FG6943010R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic Electronic Components' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FG6943010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FG6943010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FG6943010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NTJD5121NT1G
品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：295mA
功率 - 最大值：250mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG10-5
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTJD5121NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD5121NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD5121NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD5121NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2N7002DW-7-F
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:230mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：230mA
功率 - 最大值：310mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-6
包装： 3000个/
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N7002DW-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002DW-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002DW-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002DW-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMC2400UV-7
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 20V SOT563
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:230mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.03A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:37.1pF @ 10V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：1.03A，700mA
功率 - 最大值：450mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-7
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC2400UV-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2400UV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2400UV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2400UV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMC3400SDW-7
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 30V SOT363
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:230mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.03A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:37.1pF @ 10V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:650mA，450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 15V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：650mA，450mA
功率 - 最大值：310mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-8
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC3400SDW-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC3400SDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC3400SDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC3400SDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NTZD3154NT1G
品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:230mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.03A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:37.1pF @ 10V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:650mA，450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 15V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：540mA
功率 - 最大值：250mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-9
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTZD3154NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTZD3154NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTZD3154NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTZD3154NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： DMG1016UDW-7
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 20V SOT363
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:230mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.03A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:37.1pF @ 10V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:650mA，450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 15V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.07A，845mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 10V *功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：1.07A，845mA
功率 - 最大值：330mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-10
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMG1016UDW-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1016UDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1016UDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1016UDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NTJD4001NT1G
品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:230mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.03A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:37.1pF @ 10V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:650mA，450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 15V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.07A，845mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 10V *功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：250mA
功率 - 最大值：272mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG10-11
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTJD4001NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD4001NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD4001NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD4001NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DMG6601LVT-7
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:230mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.03A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:37.1pF @ 10V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:650mA，450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 15V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.07A，845mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 10V *功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.8A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:422pF @ 15V *功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：3.8A，2.5A
功率 - 最大值：850mW
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-12
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMG6601LVT-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG6601LVT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG6601LVT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG6601LVT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： FDG6303N
品牌： Fairchild Semiconductor ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:230mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.03A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:37.1pF @ 10V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:650mA，450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 15V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.07A，845mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 10V *功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.8A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:422pF @ 15V *功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：25V
电流 - 连续漏极（id）：500mA
功率 - 最大值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6
料号：JTG10-13
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDG6303N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Fairchild Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6303N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6303N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6303N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2N7002DW
品牌： Fairchild Semiconductor ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:230mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.03A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:37.1pF @ 10V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:650mA，450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 15V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.07A，845mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 10V *功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.8A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:422pF @ 15V *功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:115mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：115mA
功率 - 最大值：200mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6
料号：JTG10-14
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N7002DW' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Fairchild Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002DW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002DW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002DW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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型号： DMG6602SVT-7
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:230mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.03A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:37.1pF @ 10V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:650mA，450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 15V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.07A，845mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 10V *功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.8A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:422pF @ 15V *功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:115mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V *功率 - 最大值:840mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极（id）：3.4A，2.8A
功率 - 最大值：840mW
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-23-6
料号：JTG10-15
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMG6602SVT-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG6602SVT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG6602SVT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG6602SVT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMC2038LVT-7
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:230mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.03A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:37.1pF @ 10V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:650mA，450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 15V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.07A，845mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 10V *功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.8A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:422pF @ 15V *功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:115mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V *功率 - 最大值:840mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A，2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V *功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：3.7A，2.6A
功率 - 最大值：800mW
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-16
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC2038LVT-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2038LVT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2038LVT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2038LVT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTZD5110NT1G
品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:230mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.03A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:37.1pF @ 10V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:650mA，450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 15V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.07A，845mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 10V *功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.8A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:422pF @ 15V *功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:115mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V *功率 - 最大值:840mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A，2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V *功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:294mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24.5pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：294mA
功率 - 最大值：250mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-17
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTZD5110NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTZD5110NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTZD5110NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTZD5110NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DMG1016V-7
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 20V SOT563
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:230mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.03A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:37.1pF @ 10V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:650mA，450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 15V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.07A，845mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 10V *功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.8A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:422pF @ 15V *功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:115mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V *功率 - 最大值:840mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A，2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V *功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:294mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24.5pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V *功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：870mA，640mA
功率 - 最大值：530mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-18
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMG1016V-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1016V-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1016V-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1016V-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSS84DW-7-F
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:230mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.03A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:37.1pF @ 10V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:650mA，450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 15V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.07A，845mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 10V *功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.8A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:422pF @ 15V *功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:115mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.4A，2.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V *功率 - 最大值:840mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A，2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V *功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:294mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24.5pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V *功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:130mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 25V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：50V
电流 - 连续漏极（id）：130mA
功率 - 最大值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-19
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DMN2400UV-7
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:230mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.03A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:37.1pF @ 10V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:650mA，450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 15V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.07A，845mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 10V *功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.8A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:422pF @ 15V *功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 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连续漏极（id）:294mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24.5pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V *功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）:130mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 25V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 16V *功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：1.33A
功率 - 最大值：530mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-20
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN2400UV-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2400UV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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