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元器件型号：1652 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： DDC114YU-7-F
品牌： Diodes Incorporated DIODES 美台半导体
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：-
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：250MHz
功率 - 最大值：200mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG5-3208
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDC114YU-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Diodes Incorporated' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： DMC261010R
品牌： Panasonic Electronic Components Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：-
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：300mW
外壳：SC-74A，SOT-753
封装：迷你型5-G3-B
料号：JTG5-3209
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DMC564040R
品牌： Panasonic Electronic Components Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：-
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：150mW
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：SMINI6-F3-B
料号：JTG5-3210
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC564040R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic Electronic Components' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC564040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC564040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MUN5335DW1T1G
品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：-
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：250mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG5-3211
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUN5335DW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MUN5211DW1T1G
品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：-
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：250mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG5-3212
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUN5211DW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUN5211DW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUN5211DW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUN5211DW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MUN5214DW1T1G
品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:
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晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：250mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG5-3213
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUN5214DW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： MUN5213DW1T1G
品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：-
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
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功率 - 最大值：250mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG5-3214
包装：
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品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
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晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
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封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG5-3215
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参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:
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晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
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外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG5-3216
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUN5235DW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： ON Semiconductor ON 安森美
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：-
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：250mW
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：SC-70
料号：JTG5-3217
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSB1706DMW5T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ON Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： PUMD13,115
品牌： Nexperia USA Inc. Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：配电阻晶体管(RET)
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-3218
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PUMD13,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia USA Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PUMD13,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PUMD13,135
品牌： Nexperia USA Inc. Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：配电阻晶体管(RET)
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-3219
包装：
10+:￥0.2760
750+:￥0.2645
1500+:￥0.2461
3000+:￥0.2450
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合作现货:0
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型号： PUMH10,115
品牌： Nexperia USA Inc. Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：-
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
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频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-3220
包装：
10+:￥0.2760
750+:￥0.2645
1500+:￥0.2461
3000+:￥0.2450
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型号： PUMH10,125
品牌： Nexperia USA Inc. Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：-
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-3221
包装：
10+:￥0.2760
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型号： PUMD3,165
品牌： Nexperia USA Inc. Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：-
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-3222
包装：
10+:￥0.2760
750+:￥0.2645
1500+:￥0.2461
3000+:￥0.2450
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： PUMD3,115
品牌： Nexperia USA Inc. Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：-
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
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功率 - 最大值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-3223
包装：
10+:￥0.2760
750+:￥0.2645
1500+:￥0.2461
3000+:￥0.2450
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最小起订:
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型号： PUMD3,125
品牌： Nexperia USA Inc. Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：-
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-3224
包装：
10+:￥0.2760
750+:￥0.2645
1500+:￥0.2461
3000+:￥0.2450
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合作现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PUMD3,135
品牌： Nexperia USA Inc. Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：-
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
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功率 - 最大值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-3225
包装：
10+:￥0.2760
750+:￥0.2645
1500+:￥0.2461
3000+:￥0.2450
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PUMD9,165
品牌： Nexperia USA Inc. Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：-
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-3226
包装：
10+:￥0.2760
750+:￥0.2645
1500+:￥0.2461
3000+:￥0.2450
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： PUMD9,135
品牌： Nexperia USA Inc. Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
参数： *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 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集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:
系列：-
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-3227
包装：
10+:￥0.2760
750+:￥0.2645
1500+:￥0.2461
3000+:￥0.2450
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PUMD9,135' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia USA Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PUMD9,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PUMD9,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PUMD9,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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1~2周可到达
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