IXFT30N50

IXTT20N50DIXYS/艾赛斯TO-268508

MOSFET N-CH 500V 20A TO-268

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXFT50N50P3IXYS/艾赛斯TO-2681001

MOSFET N-CH 500V 50A TO-268

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTT16N10D2IXYS/艾赛斯TO-2681007

MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXFT16N90QIXYS/艾赛斯TO-2681016

MOSFET N-CH 900V 16A TO-268

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXFT40N30QIXYS/艾赛斯TO-2681018

MOSFET N-CH 300V 40A TO-268

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：