| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | HEXFET® |
| Fet类型: | N 通道 |
| 漏源极电压(vdss): | 20V |
| 电流-连续漏极(id): | 26A(Ta),85A(Tc) |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 功率-最大值: | 3.6W(Ta),42W(Tc) |
| 工作温度: | 3.6W(Ta),42W(Tc) |
| 同类热销产品 | ||
|---|---|---|
|
IRF6603Infineon/英飞凌DIRECTFET™ MT11361
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|
|
IRF6607Infineon/英飞凌DIRECTFET™ MT11365
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|
|
IRF6618Infineon/英飞凌DIRECTFET™ MT12527
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|
|
IRF6618TR1Infineon/英飞凌DIRECTFET™ MT12545
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|
|
IRF6609Infineon/英飞凌DIRECTFET™ MT12585
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|