IRF7603TR

NTTS2P02R2ONSEMI/安森美Micro8™10440

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NTTS2P03R2ONSEMI/安森美Micro8™10442

MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRF7521D1TRInfineon/英飞凌Micro8™11124

MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRF7523D1TRInfineon/英飞凌Micro8™11125

MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRF7526D1TRInfineon/英飞凌Micro8™11126

MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：