| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | U-MOSII |
| Fet类型: | P 通道 |
| 漏源极电压(vdss): | 30V |
| 电流-连续漏极(id): | 2.7A(Ta) |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 功率-最大值: | 700mW(Ta) |
| 工作温度: | 150°C(TJ) |
| 同类热销产品 | ||
|---|---|---|
|
SSM3J14T-VBVBsemi/微碧SOT23
56370
SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V;
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:2.7A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:700mW(Ta)
6工作温度:150°C(TJ)
|
|
|
SSM3K01T(TE85L,F)TOSHIBA/东芝TSM12196
MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:2.7A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:700mW(Ta)
6工作温度:150°C(TJ)
|
|
|
SSM3K302T(TE85L,F)TOSHIBA/东芝TSM12199
MOSFET N-CH 30V 3A TSM
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:2.7A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:700mW(Ta)
6工作温度:150°C(TJ)
|
|
|
SSM3K309T(TE85L,F)TOSHIBA/东芝TSM12202
MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:2.7A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:700mW(Ta)
6工作温度:150°C(TJ)
|
|
|
SSM3K318T,LFTOSHIBA/东芝TSM12205
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:2.7A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:700mW(Ta)
6工作温度:150°C(TJ)
|
|
|
SSM3J307T(TE85L,F)TOSHIBA/东芝TSM15663
MOSFET P-CH 20V 5A TSM
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:2.7A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:700mW(Ta)
6工作温度:150°C(TJ)
|
|