IPB10N03LB

IPB60R230P6ATMA1Infineon/英飞凌PG-TO263-33608

MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPB049NE7N3 GInfineon/英飞凌PG-TO263-39612

MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPB026N06NInfineon/英飞凌PG-TO263-39622

MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPB10N03LB GInfineon/英飞凌PG-TO263-313937

MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPB107N20NAInfineon/英飞凌PG-TO263-321614

MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：