TPCA8007-H(TE12L,Q

HTNFET-DCHoneywell Microelectronics & Precision Sensors-716

MOSFET N-CH 55V 8-DIP

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXT-1-1N100S1IXYS/艾赛斯-1114

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXT-1-1N100S1-TRIXYS/艾赛斯-1873

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

DI9405TDIODES/美台-2360

MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NVMFS5830NLT1GONSEMI/安森美-5150

MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NVMFS5832NLT1GONSEMI/安森美-5972

MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NVMFS6B14NT1GONSEMI/安森美-7473

MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NVMFS5826NLT1GONSEMI/安森美-8487

MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NVTFS4823NWFTAGONSEMI/安森美-8492

MOSFET N-CH 30V 30A U8FL

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NVMFS5834NLWFT1GONSEMI/安森美-9249

MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

PHL5830AL,115Nexperia/安世-15482

MOSFET N-CH 30V 8HVSON

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

RT1A040ZPTRROHM/罗姆-23319

MOSFET P-CH 12V 4A TSST8

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：