FDB42AN15A0

IXTA02N250HVIXYS/艾赛斯TO-263AB1925

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRFS11N50ATRLPVishay/威世TO-263AB2051

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRF840LCSTRRPBFVishay/威世TO-263AB2054

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRF840LPBFVishay/威世TO-263AB5409

MOSFET N-CH 500V 8A TO-262

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDB7030LONSEMI/安森美TO-263AB14848

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：