SIHD5N50D-GE3

IXTY1N80IXYS/艾赛斯TO-252AA2359

MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTY01N80IXYS/艾赛斯TO-252AA5301

MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SQD30N05-20L_GE3Vishay/威世TO-252AA5656

MOSFET N-CH 55V 30A TO252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SQD97N06-6M3L_GE3Vishay/威世TO-252AA5862

MOSFET N-CH 60V 50A TO252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SQD50N05-11L_GE3Vishay/威世TO-252AA5902

MOSFET N-CH 50V 50A TO252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：