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IXTA02N250HVIXYS/艾赛斯TO-263AB1925
MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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IRFS11N50ATRLPVishay/威世TO-263AB2051
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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IRF840LCSTRRPBFVishay/威世TO-263AB2054
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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IRF840LPBFVishay/威世TO-263AB5409
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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FDB7030LONSEMI/安森美TO-263AB14848
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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FDB20AN06A0ONSEMI/安森美TO-263AB14904
MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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FDB10AN06A0ONSEMI/安森美TO-263AB14919
MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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FDB14AN06LA0ONSEMI/安森美TO-263AB14920
MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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FDB42AN15A0ONSEMI/安森美TO-263AB14921
MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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FDB2570ONSEMI/安森美TO-263AB14960
MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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FDB2670ONSEMI/安森美TO-263AB14961
MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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FDB4020PONSEMI/安森美TO-263AB14962
MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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