IXTY12N06T

IXTY4N60PIXYS/艾赛斯TO-2522009

MOSFET N-CH TO-252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTY10P15TIXYS/艾赛斯TO-2522232

MOSFET P-CH 150V 10A TO-252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTY32P05TIXYS/艾赛斯TO-2522233

MOSFET P-CH 50V 32A TO-252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTY15P15TIXYS/艾赛斯TO-2522273

MOSFET P-CH 150V 15A TO-252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTY26P10TIXYS/艾赛斯TO-2522274

MOSFET P-CH 100V 26A TO-252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：