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STD70N10F4

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制造商编号：STD70N10F4复制

制造商名称：ST/意法半导体复制

制造商封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

商品类别：单通道MOS管

商品编号：1039-25

商品描述：MOSFET N-CH 100V 60A DPAK

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详细参数
产品属性 属性值
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Fet类型: N 通道
漏源极电压(vdss): 100V
电流-连续漏极(id): 60A（Tc）
Vgs(最大值): ±20V
功率-最大值: 125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
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STD70N10F4-VBVBsemi/微碧TO252 55302
N沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；3.2Vth(V)；TO252
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：100V 3电流-连续漏极(id)3：60A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±20V 5功率-最大值：125W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
STD12NF06LT4ST/意法半导体DPAK7
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：100V 3电流-连续漏极(id)3：60A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±20V 5功率-最大值：125W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
STD16NF06LT4ST/意法半导体DPAK10
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：100V 3电流-连续漏极(id)3：60A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±20V 5功率-最大值：125W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
STD44N4LF6ST/意法半导体DPAK19
MOSFET N-CH 40V 44A DPAK
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：100V 3电流-连续漏极(id)3：60A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±20V 5功率-最大值：125W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
STD15NF10T4ST/意法半导体DPAK22
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：100V 3电流-连续漏极(id)3：60A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±20V 5功率-最大值：125W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
STD30PF03LT4ST/意法半导体DPAK28
MOSFET P-CH 30V 24A DPAK
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：100V 3电流-连续漏极(id)3：60A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±20V 5功率-最大值：125W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
STD20NF20ST/意法半导体DPAK31
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：100V 3电流-连续漏极(id)3：60A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±20V 5功率-最大值：125W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
STD150N3LLH6ST/意法半导体DPAK38
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：100V 3电流-连续漏极(id)3：60A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±20V 5功率-最大值：125W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
STD8N65M5ST/意法半导体DPAK41
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：100V 3电流-连续漏极(id)3：60A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±20V 5功率-最大值：125W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
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