| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | PowerTrench® |
| Fet类型: | P 通道 |
| 漏源极电压(vdss): | 30V |
| 电流-连续漏极(id): | 1.6A(Ta) |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 功率-最大值: | 750mW(Ta) |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 同类热销产品 | ||
|---|---|---|
|
FDG316P-VBVBsemi/微碧SC70-6
56738
SC70-6;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.4~-1V;
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:1.6A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:750mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
FDG314PONSEMI/安森美SC-88(SC-70-6)14907
MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:1.6A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:750mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
FDG329NONSEMI/安森美SC-88(SC-70-6)14968
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:1.6A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:750mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
FDG361NONSEMI/安森美SC-88(SC-70-6)14981
MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:1.6A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:750mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
FDG313N_D87ZONSEMI/安森美SC-88(SC-70-6)14991
MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:1.6A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:750mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
FDG326PONSEMI/安森美SC-88(SC-70-6)14994
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:1.6A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:750mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|