温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFS3806PBF

复制 状态: 在售

制造商编号:IRFS3806PBF复制

制造商名称:Infineon/英飞凌复制

制造商封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

商品类别:单通道MOS管

商品编号:1039-2792

商品描述:MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

包装数量:-

包装规格:

购买数量:
小计: 0.00
  • 现货订购: 0pcs
  • 自营库存:0pcs
  • 国内库存:-
  • 厂家库存:-
  • 海外库存:-可咨询
  •  
  • 最新起订量:-
  • 增          量:1

价格(含税)

参考价格:0.000000
详细参数
产品属性 属性值
SELECT COLUMN_NAME as bt,column_comment as nr,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' ORDER by zss_px 系列 HEXFET®
Fet类型: N 通道
漏源极电压(vdss): 60V
电流-连续漏极(id): 43A(Tc)
Vgs(最大值): ±20V
功率-最大值: 71W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
同类热销产品
array(73) { ["id"]=> string(5) "57188" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "IRFS3806PBF-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "2.650000" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(81) "T0263;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(13) "VBsemi/微碧" ["zzs_new"]=> string(13) "VBsemi/微碧" ["zzs_old"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["lm"]=> string(6) "未设" ["tdxl"]=> string(9) "未设定" ["fetlx"]=> string(17) "N—Channel沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(3) "60V" ["dl_lxlj"]=> string(4) "120A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["djs"]=> string(1) "-" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["moq"]=> string(2) "10" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(6) "贴片" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_dm"]=> string(1) "-" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_bdm"]=> string(1) "4" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) "-" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["wl_num"]=> string(4) "1039" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(15) "单通道MOS管" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1711592122" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL ["url"]=> string(11) "c1039157188" } SELECT a.mpn_td_pintopin,b.* FROM golon_jtg_fet_mosfet_d_td a LEFT JOIN golon_jtg_fet_mosfet_d b on a.mpnid=b.id WHERE ( `mpnid` = '2792' ) LIMIT 1
IRFS3806PBF-VBVBsemi/微碧TO263 57188
T0263;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:60V 3电流-连续漏极(id)3:43A(Tc) 4Vgs(最大值)4:±20V 5功率-最大值:71W(Tc) 6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
STB16NF06LT4ST/意法半导体D2PAK16
MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:60V 3电流-连续漏极(id)3:43A(Tc) 4Vgs(最大值)4:±20V 5功率-最大值:71W(Tc) 6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
STB18NM80ST/意法半导体D2PAK56
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:60V 3电流-连续漏极(id)3:43A(Tc) 4Vgs(最大值)4:±20V 5功率-最大值:71W(Tc) 6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
STB120NF10T4ST/意法半导体D2PAK59
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:60V 3电流-连续漏极(id)3:43A(Tc) 4Vgs(最大值)4:±20V 5功率-最大值:71W(Tc) 6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
STB80NF55-06T4ST/意法半导体D2PAK62
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:60V 3电流-连续漏极(id)3:43A(Tc) 4Vgs(最大值)4:±20V 5功率-最大值:71W(Tc) 6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
STB12NK80ZT4ST/意法半导体D2PAK68
MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:60V 3电流-连续漏极(id)3:43A(Tc) 4Vgs(最大值)4:±20V 5功率-最大值:71W(Tc) 6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
STB42N60M2-EPST/意法半导体D2PAK72
MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:60V 3电流-连续漏极(id)3:43A(Tc) 4Vgs(最大值)4:±20V 5功率-最大值:71W(Tc) 6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
STB20N95K5ST/意法半导体D2PAK80
MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK
1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:60V 3电流-连续漏极(id)3:43A(Tc) 4Vgs(最大值)4:±20V 5功率-最大值:71W(Tc) 6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
STB11NM80T4ST/意法半导体D2PAK83
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:60V 3电流-连续漏极(id)3:43A(Tc) 4Vgs(最大值)4:±20V 5功率-最大值:71W(Tc) 6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
复制成功
复制成功
销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922